[发明专利]发光元件

说明书

技术领域

实施例涉及一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。

背景技术

发光器件(LED)包括具有将电能转换成光能的特性的p-n结二极管。通过组合周期表的III-V族元素形成p-n结二极管。发光器件能够通过调节化合物半导体的组成比来表示各种颜色。

当正向电压被施加到LED时，n层的电子与p层的空穴相结合，使得与在导带和价带之间的能隙相对应的能量可以被产生。此能量主要被实现为热或者光，并且LED发射作为光的能量。

例如，氮化物半导体表现优异的热稳定性和宽带隙能使得在光学器件和高功率电子设备的领域中氮化物半导体层已经被备受关注。特别地，采用氮化物半导体的蓝色、绿色、以及UV发光器件已经被开发和广泛地使用。

最近，随着对于高效率LED的需求已经被增加，光的强度的改进已经被发布。

为了改进光的强度，诸如有源层的多量子阱(MQW)的改进、电子阻挡层的改进以及有源层的下层的改进的各种尝试已经被执行，但是没有实现大的效果。

发明内容

技术问题

实施例提供一种能够改进光的强度的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。

技术方案

根据实施例，提供一种发光器件，该发光器件包括：第一导电半导体层112；在第一导电半导体层112上的GaN基超晶格层124；在GaN基超晶格层124上的有源层114；以及在有源层114上的第二导电半导体层116，其中GaN基超晶格层124具有在从第一导电半导体层112到有源层114的方向上变化的带隙能级。

有益效果

实施例能够提供一种具有能够改进在外延端处的光的强度的最佳结构的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。

附图说明

图1是示出根据实施例的发光器件的截面图。

图2是部分地图示根据实施例的发光器件的能带图的视图；

图3至图5是示出制造根据实施例的发光器件的方法的截面图；

图6是根据实施例的发光器件封装的截面图；以及

图7至图9是示出包括根据实施例的发光器件的照明系统的示例的分解透视图。

具体实施方式

在下文中，将会参考附图详细地描述根据实施例的发光器件、发光器件封装、以及照明系统。在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或者膜)被称为是在另一层或者基板“上”时，其能够直接地在另一层或者基板上，或者也可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为是在另一层“下”时，其能够直接地在另一层下面，并且也可以存在一个或者多个中间层。另外，也将会理解的是，当层被称为是在两个层“之间”时，其能够是两个层之间的唯一的层，或者也可以存在一个或者多个中间层。

(实施例)

图1是示出根据实施例的发光器件的截面图并且图2是部分地图示根据实施例的发光器件的能带图的视图。

根据实施例的发光器件100包括第一导电半导体层112、在第一导电半导体层112上的GaN基超晶格层124；在GaN基超晶格层124上的有源层114；以及在有源层114上的第二导电半导体层116。

根据实施例，能够提供具有能够改进在外延端处的光的强度的最佳结构的发光器件。

为此，根据如在图2中所示的实施例，GaN基超晶格层124可以具有在从第一导电半导体层112到有源层114的方向上变化的带隙能级。例如，GaN基超晶格层124可以具有在从第一导电半导体层112到有源层114的方向上逐步地减少的带隙能级，但是实施例不限于此。

详细地，GaN基超晶格层124可以包括被形成在与第一导电半导体层112相邻的A区域中并且具有第一带隙能的第一组GaN基超晶格层121和被形成在第一组GaN基超晶格层121(B区域)上并且具有比第一带隙能低的第二带隙能的第二组GaN基超晶格层122。

另外，GaN基超晶格层124可以进一步包括被形成在与有源层114相邻的第二组GaN基超晶格层122(C区域)上并且具有第三带隙能的第三组GaN基超晶格层123。

第三带隙能可以等于或者低于第二带隙能，但是实施例不限于此。

第一组GaN基超晶格层121可以包括第一组阱121w和第一组势垒121b，第二组GaN基超晶格层122可以包括第二组阱122w和第二组势垒122b，并且第三组GaN基超晶格层123可以包括第三组阱123w和第三组势垒123b。