[发明专利]三维存储器阵列架构有效
| 申请号： | 201380049045.1 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN104662659B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 费代里科·皮奥 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L45/00;H01L27/22;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供三维存储器阵列及其形成方法。实例三维存储器阵列可包含堆叠，其包括通过至少绝缘材料而彼此分离的多个第一导电线；及至少一个导电延伸部，其经布置以实质上垂直于所述多个第一导电线延伸，使得所述至少一个导电延伸部与所述多个第一导电线中的至少一者的一部分相交。围绕所述至少一个导电延伸部形成存储元件材料。围绕所述至少一个导电部延伸形成单元选择材料。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 阵列 架构 | ||
【主权项】：
一种三维存储器阵列(320；430；656；670；657；671；760；866；980；981)，其包括：堆叠(544)，其包括在若干层级处通过至少绝缘材料(748；848；948)而彼此分离的多个第一导电线(322；522；622；722；822；922)；至少一个导电延伸部(326；554；654；754；854；954)，其经布置以实质上垂直于所述多个第一导电线(322；522；622；722；822；922)延伸，使得所述至少一个导电延伸部(326；554；654；754；854；954)与所述多个第一导电线(322；522；622；722；822；922)中的每一者的一部分相交；多个第二导电线(324；624；724)，其中所述多个第二导电线(324；624；724)中的每一第二导电线形成在所述多个第一导电线(322；522；622；722；822；922)及所述至少一个导电延伸部(326；554；654；754；854；954)上方，且其中所述至少一个导电延伸部(326；554；654；754；854；954)耦合到所述多个第二导电线(324；624；724)中的相应一者；存储元件材料(552；652；752；952)，其围绕所述至少一个导电延伸部(326；554；654；754；854；954)而形成；及单元选择材料(550；650；750；855；950)，其围绕所述至少一个导电延伸部(326；554；654；754；854；954)而形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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