[发明专利]用于验证堆叠式半导体装置的测试装置有效
| 申请号： | 201380044968.8 | 申请日： | 2013-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN104583790B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | T.D.韦格 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 付曼,张懿 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例描述用于利用具有从高密度互连(HDI)多层基板形成的电互连的测试仪器的设备、系统和方法。可在HDI基板上安装的装置之间通过在其多层内形成的传导性互连来路由电信号。传导性互连一般包括金属互连和通孔，其中每个通孔在层之间穿过以将来自一层的金属互连耦合到来自另一层的金属互连。通过利用HDI基板，本发明的实施例实现“取出”多层(可能是封装通道的路由层的两倍或三倍)上的信号针；但是，可选择传输线的几何因素和其它因素以确保诸如阻抗和串扰之类的通道参数接近仿真最后的装置封装。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 验证 堆叠 半导体 装置 测试 | ||
【主权项】：
一种用于测试半导体装置的测试装置，包括：装置端口，所述装置端口用于接纳所述半导体装置；测试仪器插口，所述测试仪器插口用于测试仪器互连；以及测试板，所述测试板将所述装置端口和所述测试仪器插口经由电互连来互连，以便使计算装置可通信地耦合到所述半导体装置，所述电互连从高密度互连(HDI)基板形成并且至少部分基于互连参数而形成，其中，所述HDI基板包括用于电耦合从所述HDI基板的多层形成的互连的多个微通孔，并且所述微通孔中的至少一个没有穿透所述HDI基板的任一侧，使得它没有延伸到位于所述测试板的上表面的所述装置端口。
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