[发明专利]用于非易失性存储器的耐久性感知纠错码(ECC)保护有效
| 申请号: | 201380044865.1 | 申请日: | 2013-06-12 |
| 公开(公告)号: | CN104541249B | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
| 发明(设计)人: | S.奥斯德米尔;Q.蔡 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
| 主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10;G06F12/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 张金金,陈岚 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明的实施例涉及用于存储器(例如,相变存储器)的耐久性感知ECC保护。根据一个实施例,方法包括计算对于数据位的第一元数据和对于ECC位(其保护数据位和第一元数据)的第二元数据。实施例可以包括一个或多个第一元数据位(对于数据位)以及一个或多个第二元数据位(对于ECC位)。额外的ECC保护级别保护第二元数据。在一个实施例中,应用于数据位和ECC位的损耗减少修改是不同的,并且可以对位的行为来定制。根据一个实施例,本文描述的耐久性感知ECC保护减少由于对存储器的访问而造成的损耗同时解决损耗减少机制对错误检测和纠正系统引入的复杂性。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 非易失性存储器 耐久性 感知 纠错码 ecc 保护 | ||
【主权项】:
一种用于为非易失性存储器提供纠错码保护的方法,其包括:计算对于移位的数据位和元数据位的纠错码ECC位,所述元数据位指示对要写入非易失性存储器的数据位的移位;计算对于第二元数据位的第二ECC位,所述第二元数据位指示所述ECC位的倒置;以及将移位的数据位、所述元数据位、倒置的ECC位、所述第二元数据位和所述第二ECC位存储在所述非易失性存储器中。
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