[发明专利]分离基材和加工元器件的方法和装置有效
| 申请号： | 201380044187.9 | 申请日： | 2013-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN104813447B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 麦克·晓晅·杨 | 申请（专利权）人： | 麦克·晓晅·杨 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;H01L21/02 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 | 代理人： | 黄燕 |
| 地址： | 美国加利福利亚州*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一项基底材料分离技术在电子元器件、光电元器件和微机电元器件，尤其是两面元器件加工中的应用。本发明提出的方法适用于多种晶硅太阳能电池制造流程。本发明还涉及通过激光照射在一薄基板侧壁将其分离的装置。此装置可以包含两个面对面放置的基板吸盘，基板从两个基板吸盘之间的空隙通过。本发明进一步指向通过激光照射从一根转动的晶棒的侧壁上分离出一个连续的薄层材料的方法和装置。在晶棒上分离出材料薄层之前可以将一层薄膜沉积在或粘黏在晶棒侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 基材 加工 元器件 方法 装置 | ||
【主权项】：
一套用来处理半导体晶片的装置，其包含：第一个基板吸盘；与第一个基板吸盘分隔设置的第二个基板吸盘；第一个基板吸盘和第二个基板吸盘之间设有供半导体晶片可以通过的空隙；在半导体晶片通过所述空隙时将半导体晶片分离成两片的机构，所述两片均与分离前半导体晶片的面积基本一致；其中所述第一个和第二个基板吸盘设计、放置和使用时，需保证当半导体晶片通过所述空隙时，半导体晶片不与基板吸盘接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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