[发明专利]高功率可调谐电容器有效
| 申请号: | 201380043517.2 | 申请日: | 2013-08-21 |
| 公开(公告)号: | CN104584432B | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
| 发明(设计)人: | M·安;K·H·安;C-H·李;A·哈德吉克里斯托斯 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/56 | 分类号: | H03K17/56;H03H7/48 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 袁逸 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 公开了一种高功率可调谐电容器(550)。在一示例性实施例中,一种装置包括耦合到输入信号(504)的电容器(508)、耦合到该电容器的体接触开关(510)、以及耦合在该体接触开关与接地之间的浮置体开关(512),该体接触开关耦合到体偏置信号(Bb),该浮置体开关配置成将该体偏置信号从接地解耦。 | ||
| 搜索关键词: | 体接触 电容器 可调谐电容器 接地 高功率 体偏置 耦合到 浮置 开关配置 开关耦合 耦合 解耦 | ||
【主权项】:
1.一种电容器装置,其特征在于,包括:耦合到输入信号的电容器;耦合到所述电容器的体接触开关,所述体接触开关耦合到体偏置信号,所述体偏置信号包括负偏置电源;以及耦合在所述体接触开关与接地之间的浮置体开关,所述浮置体开关配置成将所述体偏置信号从所述接地解耦。
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