[发明专利]高功率可调谐电容器有效

专利信息
申请号: 201380043517.2 申请日: 2013-08-21
公开(公告)号: CN104584432B 公开(公告)日: 2019-05-28
发明(设计)人: M·安;K·H·安;C-H·李;A·哈德吉克里斯托斯 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03K17/56 分类号: H03K17/56;H03H7/48
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 袁逸
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 公开了一种高功率可调谐电容器(550)。在一示例性实施例中,一种装置包括耦合到输入信号(504)的电容器(508)、耦合到该电容器的体接触开关(510)、以及耦合在该体接触开关与接地之间的浮置体开关(512),该体接触开关耦合到体偏置信号(Bb),该浮置体开关配置成将该体偏置信号从接地解耦。
搜索关键词: 体接触 电容器 可调谐电容器 接地 高功率 体偏置 耦合到 浮置 开关配置 开关耦合 耦合 解耦
【主权项】:
1.一种电容器装置,其特征在于,包括:耦合到输入信号的电容器;耦合到所述电容器的体接触开关,所述体接触开关耦合到体偏置信号,所述体偏置信号包括负偏置电源;以及耦合在所述体接触开关与接地之间的浮置体开关,所述浮置体开关配置成将所述体偏置信号从所述接地解耦。
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