[发明专利]高功率可调谐电容器有效
| 申请号: | 201380043517.2 | 申请日: | 2013-08-21 |
| 公开(公告)号: | CN104584432B | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
| 发明(设计)人: | M·安;K·H·安;C-H·李;A·哈德吉克里斯托斯 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/56 | 分类号: | H03K17/56;H03H7/48 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 袁逸 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 体接触 电容器 可调谐电容器 接地 高功率 体偏置 耦合到 浮置 开关配置 开关耦合 耦合 解耦 | ||
1.一种电容器装置,其特征在于,包括:
耦合到输入信号的电容器;
耦合到所述电容器的体接触开关,所述体接触开关耦合到体偏置信号,所述体偏置信号包括负偏置电源;以及
耦合在所述体接触开关与接地之间的浮置体开关,所述浮置体开关配置成将所述体偏置信号从所述接地解耦。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述体接触开关包括体接触FET开关。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述浮置体开关包括浮置体FET开关。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述浮置体开关配置成将所述负偏置电源从所述接地上的噪声解耦。
5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述电容器、体接触开关和浮置体开关形成可切换电容器分支,所述装置进一步包括配置成产生可变电容的多个所述可切换电容器分支。
6.如权利要求5所述的装置,其特征在于,进一步包括分别连接到多个所述可切换电容器分支的多个开关控制信号,所述多个开关控制信号配置成启用一个或多个所述可切换电容器分支以形成具有由所启用的分支的数目决定的值的所述可变电容。
7.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述电容器具有第一端子和第二端子,所述第一端子耦合到所述输入信号。
8.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述体接触开关耦合到所述第二端子,所述体接触开关包括耦合到所述体偏置信号的体接触端子。
9.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述电容器在所述第二端子处生成经滤波输入信号。
10.如权利要求9所述的装置,其特征在于,所述体接触开关被配置成接收所述经滤波输入信号,并且生成经切换的经滤波信号。
11.如权利要求10所述的装置,其特征在于,所述浮置体开关配置成将所述经切换的经滤波信号选择性地耦合到接地。
12.一种电容器设备,其特征在于,包括:
用于提供耦合到输入信号的电容以生成经滤波输入信号的装置;
用于使用体偏置信号来切换所述经滤波输入信号以生成经切换的经滤波输入信号的装置,所述体偏置信号包括负偏置电源;以及
用于将所述经切换的经滤波输入信号切换到接地的装置,所述用于切换所述经切换的经滤波输入信号的装置配置成将所述体偏置信号从所述接地解耦。
13.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述用于切换所述经滤波输入信号的装置包括一个或多个体接触FET开关,所述体接触FET开关包括连接到栅极偏置信号的栅极端子和连接到所述体偏置信号的体接触端子。
14.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述用于切换所述经切换的经滤波输入信号的装置包括一个或多个浮置体FET开关。
15.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述用于切换所述经切换的经滤波输入信号的装置配置成将所述负偏置电源从所述接地上的噪声解耦。
16.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述用于提供电容的装置、所述用于切换所述经滤波输入信号的装置、以及所述用于切换所述经切换的经滤波输入信号的装置形成用于切换电容的装置,所述设备进一步包括多个所述用于切换电容的装置,所述多个所述用于切换电容的装置配置成产生可变电容。
17.如权利要求16所述的设备,其特征在于,进一步包括用于启用所述多个所述用于切换电容的装置的装置,所述用于启用的装置配置成从被启用的所述用于切换电容的装置的总数来为所述可变电容确定电容值。
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