[发明专利]半导体集成电路有效
| 申请号： | 201380041424.6 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104521146B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 松冈大辅;袛园雅弘;宇佐美志郎 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/00 | 分类号： | H03K19/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 齐秀凤 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体集成电路，具备电源开关电路(1)，其使用PMOS晶体管(P1)以及NMOS晶体管(N1)对施加给电源供给端子(11)的电源电压(VDD1)或者施加给电源供给端子(12)的电源电压(VDD2)进行选择来作为电源电压(VOUT)输出至电源输出端子(13)；与PMOS晶体管(P1)的栅极连接的开关控制电路(2)；和与NMOS晶体管(N1)的栅极连接的开关控制电路(3)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路，具备：接地端子，其被施加接地电位；第一电源端子，其被施加比所述接地电位高的第一电源电压；第二电源端子，其被施加比所述接地电位高且比所述第一电源电压低的第二电源电压；第三电源端子，其用于输出施加给所述第一电源端子的所述第一电源电压、或者施加给所述第二电源端子的所述第二电源电压；第一PMOS晶体管，其对所述第一电源端子和所述第三电源端子进行连接；第一NMOS晶体管，其对所述第二电源端子和所述第三电源端子进行连接；第一开关控制电路，其与所述第一PMOS晶体管连接；第二开关控制电路，其与所述第一NMOS晶体管连接；和放电电路，其对所述第三电源端子和所述接地端子进行连接，所述第一开关控制电路通过向所述第一PMOS晶体管的栅极输出从所述接地电位的电平至所述第一电源电压的电平为止的信号，从而将所述第一PMOS晶体管控制为导通状态或者截止状态，所述第二开关控制电路通过向所述第一NMOS晶体管的栅极输出从所述接地电位的电平至所述第一电源电压的电平为止的信号，从而将所述第一NMOS晶体管控制为导通状态或者截止状态。
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