[发明专利]外延硅晶片的制造方法和外延硅晶片有效
| 申请号： | 201380040947.9 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN104584191B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 楢原和宏;增田纯久 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/24;C30B25/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 蔡晓菡,刘力 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | [课题]提供一种周边部的平坦度高的外延硅晶片的制造方法以及由此得到的外延硅晶片。[解决方法]一种外延硅晶片的制造方法，其特征在于，在硅晶片2的顶面23上形成外延层3，所述硅晶片2的顶面23的面取向为（100）面或（110）面，顶面23侧的端部的倒角宽度A1为200μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
外延硅晶片的制造方法，其特征在于，在硅晶片的单面上形成外延层，所述硅晶片的该单面的面取向为（100）面或（110）面，该单面侧的端部的倒角宽度为200μm以下，且另一面侧的端部的倒角宽度为300~400μm，但是不包括300μm，所述硅晶片的中心部的所述外延层的膜厚为2~10μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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