[发明专利]固体摄像装置有效
申请号: | 201380040507.3 | 申请日: | 2013-04-11 |
公开(公告)号: | CN104520993B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 石井基范 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/363;H04N5/374 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 高迪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 像素(10)具备光电转换部(21);电荷累积部(115);栅极与电荷累积部(115)连接的放大晶体管(116);源极与放大晶体管(116)的源极连接、漏极与列信号线(23)连接的选择晶体管(202);以及源极与电荷累积部(115)连接、漏极与列信号线(23)连接的复位晶体管(117),在像素信号读出期间,使选择晶体管(202)成为导通状态的第一电压被施加到选择晶体管(202)的栅极,使复位晶体管(117)成为非导通状态的第二电压被施加到复位晶体管(117)的栅极,在电荷累积部(115)复位期间,第一电压与第二电压的中间电压被施加到选择晶体管(202)的栅极。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
【主权项】:
一种固体摄像装置,该固体摄像装置具备:半导体衬底;像素部,在该像素部,多个像素以矩阵状被配置在所述半导体衬底;以及多个列信号线,按所述像素部的每个列而被配置,所述多个像素的每一个具备:光电转换膜;像素电极,被形成在所述光电转换膜的朝向所述半导体衬底一侧的面上;透明电极,被形成在所述光电转换膜的与所述像素电极相反一侧的面上;电荷累积部,与所述像素电极电连接,累积来自所述光电转换膜的信号电荷;放大晶体管,输出与所述电荷累积部的信号电荷量对应的像素信号;复位晶体管,对所述电荷累积部的电位进行复位;以及选择晶体管,决定所述放大晶体管输出所述像素信号的定时,在读出与在所述光电转换膜生成的信号电荷量对应的像素信号的第一期间,使所述选择晶体管成为导通状态的第一电压被施加到所述选择晶体管的栅极端子,使所述复位晶体管成为非导通状态的第二电压被施加到所述复位晶体管的栅极端子,在对所述电荷累积部进行复位的第二期间,第三电压被施加到所述选择晶体管的栅极端子,该第三电压是所述第一电压以及所述第二电压的中间值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的