[发明专利]XIII族硒化物纳米粒子有效
| 申请号： | 201380036492.3 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN104428870B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 纳瑟莉·格雷斯蒂;翁布雷塔·马萨拉;克里斯托弗·纽曼;斯蒂芬·怀特莱格;奈杰尔·皮克特 | 申请（专利权）人： | 纳米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/032;H01L31/0352;B82Y30/00;C01B19/00;C09D11/52 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 柳春琦 |
| 地址： | 英国曼*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制备XIII族硒化物纳米粒子的方法包括使XIII族离子源与硒醇化合物反应。所述纳米粒子具有MxSey半导体核(其中M是In或Ga)和经由碳‑硒键与所述核相连的有机覆盖配体。所述硒醇提供用于结合到所述半导体核中的硒源并且还提供所述有机覆盖配体。所述纳米粒子尤其适用于基于溶液的制备半导体薄膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | xiii 族硒化物 纳米 粒子 | ||
【主权项】：
一种制备二元第13族硒化物纳米粒子的方法，所述二元第13族硒化物纳米粒子具有通式MxSey，其中M是Ga或In，0＜x，并且0＜y，所述方法包括：通过在第一温度将第13族离子前体分散在非配位溶剂、配位溶剂或非配位溶剂和配位溶剂的组合中，而形成分散体；将硒醇化合物添加到所述分散体中而形成混合物；以及将所述混合物的温度升高到第二温度，并且将所述混合物在第二温度保持一定时间，以形成所述二元第13族硒化物纳米粒子；其中所述二元第13族硒化物纳米粒子基本上不含硫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
