[发明专利]用于层状加热器的复合衬底有效
申请号: | 201380036412.4 | 申请日: | 2013-07-02 |
公开(公告)号: | CN104488074B | 公开(公告)日: | 2017-07-11 |
发明(设计)人: | J·R·林德利;D·J·迈尔;A·D·格莱夫 | 申请(专利权)人: | 华特隆电器制造公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H05B3/14;H05B3/28 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人: | 程伟,王锦阳 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种形成供使用于半导体制程的加热设备的方法,其包括热固定加热器衬底至应用衬底;以及在加热器衬底固定至应用衬底后,施加层状加热器至加热器衬底。层状加热器的施加包括施加第一电介质层至加热器衬底上,施加电阻加热层至第一电介质层上,以及施加第二电介质层至电阻加热层上。加热器衬底限定材料具有与所述第一电介质层的热膨胀系数和所述电阻加热层的热膨胀系数中至少一个匹配的热膨胀系数。 | ||
搜索关键词: | 用于 层状 加热器 复合 衬底 | ||
【主权项】:
一种形成供使用于半导体制程的加热设备的方法,顺序地包括下列步骤:使用结合工艺热固定加热器衬底至应用衬底,所述结合工艺选自由硬钎焊、熔焊、软钎焊、扩散粘结、环氧树脂胶合以及硫化构成的组;在所述加热器衬底固定至所述应用衬底之后,施加层状加热器至所述加热器衬底,所述层状加热器的施加包括:施加第一电介质层至所述加热器衬底上;施加电阻加热层至所述第一电介质层上;以及施加第二电介质层至所述电阻加热层上,其中所述加热器衬底包括具有与所述第一电介质层的热膨胀系数和所述电阻加热层的热膨胀系数中的至少一个匹配的热膨胀系数的材料,其中加热器衬底的材料取决于第一电介质层的材料,而无关应用衬底的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造