[发明专利]用于层状加热器的复合衬底有效
申请号: | 201380036412.4 | 申请日: | 2013-07-02 |
公开(公告)号: | CN104488074B | 公开(公告)日: | 2017-07-11 |
发明(设计)人: | J·R·林德利;D·J·迈尔;A·D·格莱夫 | 申请(专利权)人: | 华特隆电器制造公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H05B3/14;H05B3/28 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人: | 程伟,王锦阳 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 层状 加热器 复合 衬底 | ||
1.一种形成供使用于半导体制程的加热设备的方法,顺序地包括下列步骤:
使用结合工艺热固定加热器衬底至应用衬底,所述结合工艺选自由硬钎焊、熔焊、软钎焊、扩散粘结、环氧树脂胶合以及硫化构成的组;
在所述加热器衬底固定至所述应用衬底之后,施加层状加热器至所述加热器衬底,所述层状加热器的施加包括:
施加第一电介质层至所述加热器衬底上;
施加电阻加热层至所述第一电介质层上;以及
施加第二电介质层至所述电阻加热层上,
其中所述加热器衬底包括具有与所述第一电介质层的热膨胀系数和所述电阻加热层的热膨胀系数中的至少一个匹配的热膨胀系数的材料,
其中加热器衬底的材料取决于第一电介质层的材料,而无关应用衬底的材料。
2.根据权利要求1中所述的形成供使用于半导体制程的加热设备的方法,其中所述加热器衬底硬钎焊至应用衬底。
3.根据权利要求2中所述的形成供使用于半导体制程的加热设备的方法,其中银钎焊材料被使用。
4.根据权利要求1中所述的形成供使用于半导体制程的加热设备的方法,其中所述层状加热器的每一层通过热喷涂工艺施加。
5.根据权利要求4中所述的形成供使用于半导体制程的加热设备的方法,其中电路图案通过激光去除工艺形成在所述电阻加热层。
6.根据权利要求1中所述的形成供使用于半导体制程的加热设备的方法,其中所述第一电介质层是氧化铝材料,所述加热器衬底是钼材料,而所述应用衬底是奥氏体不锈钢材料。
7.根据权利要求1中所述的形成供使用于半导体制程的加热设备的方法进一步包括在施加所述第一电介质层前施加粘合层至所述加热器衬底。
8.根据权利要求1中所述的形成供使用于半导体制程的加热设备的方法进一步包括施加顶部涂层到所述第二电介质层上,并且随后通过加工去除部分顶部涂层以实现预定表面平整度。
9.一种形成供使用于半导体制程的加热设备的方法,顺序地包括下列步骤:
硬钎焊加热器衬底至应用衬底;
在加热器衬底固定至应用衬底之后施加层状加热器至加热器衬底,层状加热器的施加包括:
通过热喷涂工艺施加粘合层至所述加热器衬底上;
通过热喷涂工艺施加第一电介质层至所述粘合层上;
通过热喷涂工艺施加电阻加热层至所述第一电介质层上;以及
通过热喷涂工艺施加第二电介质层至所述电阻加热层上,
其中所述加热器衬底限定材料具有与所述第一电介质层的热膨胀系数和所述电阻加热层的热膨胀系数中至少一个匹配的热膨胀系数,
其中加热器衬底的材料取决于第一电介质层的材料,而无关应用衬底的材料。
10.根据权利要求9中所述的形成供使用于半导体制程的加热设备的方法,其中银钎焊材料被使用。
11.根据权利要求9中所述的形成供使用于半导体制程的加热设备的方法,其中电路图案通过激光去除工艺形成在所述电阻加热层。
12.根据权利要求9中所述的形成供使用于半导体制程的加热设备的方法,其中所述第一电介质层是氧化铝材料,所述加热器衬底是钼材料,而所述应用衬底是奥氏体不锈钢材料。
13.一种形成供使用于半导体制程的加热设备的方法,顺序地包括下列步骤:
通过选自由硬钎焊、熔焊、软钎焊、扩散粘结、环氧树脂胶合以及硫化构成的组中的工艺在高温中热固定加热器衬底至应用衬底;
在所述加热器衬底固定至所述应用衬底后,施加至少一层功能层至所述加热器衬底,
其中所述加热器衬底限定材料具有与所述功能层的材料的热膨胀系数匹配的热膨胀系数,所述功能层的材料不能抵抗热固定步骤的高温,
其中加热器衬底的材料取决于功能层的材料,而无关应用衬底的材料。
14.根据权利要求13中所述的形成供使用于半导体制程的加热设备的方法,其中所述功能层是粘合层,而所述方法进一步包括:
施加第一电介质层至所述粘合层上;
施加电阻加热层至所述第一电介质层上;以及
施加第二电介质层至所述电阻加热层上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华特隆电器制造公司,未经华特隆电器制造公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380036412.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种医院B超操作架
- 下一篇:用于心电信号检测系统的前置放大及右腿驱动电路
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造