[发明专利]运送切割晶圆的方法有效
申请号: | 201380035367.0 | 申请日: | 2013-06-20 |
公开(公告)号: | CN104412368B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | W-S·类;B·伊顿;A·伊耶;S·辛格;T·伊根;A·库玛;S·拉马斯瓦米 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L21/78 |
代理公司: | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陆勍<国际申请>=PCT/US2013/ |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 描述了用于切割半导体晶圆及运送单切晶粒的方法。在一实例中,一种用于切割具有多个集成电路在其上的晶圆的方法包含了将该晶圆切割为配置在一切割胶带上方的多个单切晶粒。该方法也包含在该切割胶带上方、该多个单切晶粒上与其间形成一水溶性材料层。 | ||
搜索关键词: | 晶粒 切割胶带 切割 水溶性材料层 半导体晶圆 晶圆切割 晶圆 集成电路 运送 配置 | ||
【主权项】:
1.一种用于切割上面具有多个集成电路的晶圆的方法,该方法包括:/n将该晶圆切割为多个单切晶粒,该多个单切晶粒被配置在一切割胶带上方;/n在所述多个单切晶粒上方与所述多个单切晶粒之间以及在所述多个单切晶粒之间的所述切割胶带的部分上形成一水溶性材料层,其中所述水溶性材料层与所述切割胶带的所述部分接触;以及/n运送所述切割胶带,其中所述水溶性材料层于运送期间保护这些单切晶粒不受损坏。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380035367.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造