[发明专利]运送切割晶圆的方法

权利要求书

1.一种用于切割上面具有多个集成电路的晶圆的方法，该方法包括：

将该晶圆切割为多个单切晶粒，该多个单切晶粒被配置在一切割胶带上方；

在所述多个单切晶粒上方与所述多个单切晶粒之间以及在所述多个单切晶粒之间的所述切割胶带的部分上形成一水溶性材料层，其中所述水溶性材料层与所述切割胶带的所述部分接触；以及

运送所述切割胶带，其中所述水溶性材料层于运送期间保护这些单切晶粒不受损坏。

2.如权利要求1所述的方法，更包括以下步骤：

在运送之后，以一水相媒介移除该水溶性材料层。

3.如权利要求1所述的方法，更包括以下步骤：

在运送之前烘烤该水溶性材料层。

4.如权利要求1所述的方法，其中该水溶性材料层包括：由聚乙烯醇、聚丙烯酸、葡萄聚醣、聚甲基丙烯酸、聚乙烯亚胺及聚环氧乙烷所组成群组中选出的一材料。

5.如权利要求4所述的方法，其中该水溶性材料层具有在一水相溶液中的每分钟1至15微米的范围中的一蚀刻速率。

6.如权利要求1所述的方法，其中该形成该水溶性材料层包括旋涂该水溶性材料层。

7.如权利要求1所述的方法，其中将该晶圆切割为该多个单切晶粒包括：使用一激光烧蚀工艺。

8.如权利要求1所述的方法，其中将该晶圆切割为该多个单切晶粒包括：使用一激光画切加上等离子体蚀刻的复合切割工艺。

9.如权利要求1所述的方法，其中在将该晶圆切割为该多个单切晶粒期间，一水溶性遮罩被配置在该晶圆上，且其中该水溶性遮罩于移除该水溶性材料层期间被移除。

10.如权利要求1所述的方法，其中该切割胶带是收容在一框体中。

11.一种装置，包括：

多个单切晶粒，其被配置在一切割胶带上方；

一水溶性材料层，其被配置在所述多个单切晶粒上与所述多个单切晶粒之间以及在所述多个单切晶粒之间的所述切割胶带的部分上，其中所述水溶性材料层与所述切割胶带的所述部分接触，且其中所述水溶性材料层于所述切割胶带的运送期间保护这些单切晶粒不受损坏。

12.如权利要求11所述的装置，其中该水溶性材料层包括由聚乙烯醇、聚丙烯酸、葡萄聚醣、聚甲基丙烯酸、聚乙烯亚胺及聚环氧乙烷所组成群组中选出的一材料。

13.如权利要求11所述的装置，更包括：

一水溶性遮罩，其被配置在各该多个单切晶粒上、各该多个单切晶粒与该水溶性材料层之间。

14.如权利要求11所述的装置，其中该切割胶带收容在一框体中。