[发明专利]原子层沉积装置有效
申请号: | 201380033069.8 | 申请日: | 2013-06-19 |
公开(公告)号: | CN104488067B | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 丁寅权 | 申请(专利权)人: | MTS纳米科技株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;李静 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 原子层沉积装置的喷头往复移动装置使喷头往复移动,供气控制装置是将通过喷头同时喷射源前体和吹扫用气体的阶段以及同时喷射反应物前体和吹扫用气体的阶段反复实施,进而在基板上交替涂覆第一反应层和第二反应层。喷射的前体和吹扫用气体则通过喷头被喷射即排出。本发明因不同时进行源前体喷射和反应物前体喷射而防止源前体和反应物前体混在一起,且同时进行前体喷射、吹扫用气体喷射和排气而提高产能率,并最大限度减少喷头往复移动距离而适用于大型基板的同时可缩小装备的大小。而且,本发明可只在基板上的特定部位选择性地沉积原子层。 | ||
搜索关键词: | 原子 沉积 装置 | ||
【主权项】:
1.一种原子层沉积方法,包括:将基板放置在基板支架上的阶段;将在边缘内侧有喷射口面的喷头以所述基板的上部面和所述喷射口面相面对的方式设置的阶段,其中所述喷射口面具备包括至少一个源前体喷射口、至少一个反应前体喷射口以及至少一个排气口的喷射单元;以及使所述喷头对所述基板相对地沿第一方向在第一位置和第二位置之间往复移动同时给所述基板供应源前体和反应前体而形成原子层的阶段,其中,所述基板或所述喷头在所述第一位置和所述第二位置之间沿所述第一方向或所述第一方向的逆向往复移动中,沿同一个方向移动时,所述源前体和所述反应前体中的一个被向所述基板供应,而另一个未被供应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造