[发明专利]固体摄像装置有效
申请号: | 201380032967.1 | 申请日: | 2013-03-08 |
公开(公告)号: | CN104412387B | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 森三佳;大槻浩久;大森爱幸;佐藤好弘;宫川良平 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/3745 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 安香子,黄剑锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请的固体摄像装置具备被配置成二维状的多个像素(10),像素(10)具备金属电极(11);被形成在金属电极(11)上且将光转换成电信号的光电转换层(13);被形成在光电转换层(13)上的透明电极(12);与金属电极(11)电连接,且对来自光电转换层(13)的电荷进行积蓄的电荷积蓄区域(14);输出与电荷积蓄区域(14)的电荷量相对应的信号电压的放大晶体管(15);以及对电荷积蓄区域(14)的电位进行复位的复位晶体管(16),复位晶体管(16)的栅极氧化膜的膜厚比放大晶体管(15)的栅极氧化膜(25)的膜厚厚。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
【主权项】:
一种固体摄像装置,具备被配置成二维状的多个像素,所述多个像素的每一个具备:第一电压的半导体衬底;金属电极;光电转换层,被形成在所述金属电极上,并将光转换为电信号;透明电极,被形成在所述光电转换层上;电荷积蓄区域,形成在上述半导体衬底中,与所述金属电极电连接,并积蓄来自所述光电转换层的电荷;放大晶体管,输出与所述电荷积蓄区域的电荷量相对应的信号电压;以及复位晶体管,对所述电荷积蓄区域的电位进行复位,所述复位晶体管的栅极氧化膜的膜厚比所述放大晶体管的栅极氧化膜的膜厚厚,在所述复位晶体管导通时,所述复位晶体管的栅极被施加第二电压,在所述复位晶体管断开时,所述复位晶体管的栅极被施加第三电压,以使得在所述复位晶体管的栅极下方聚集与承担所述电荷蓄积区域的导电型的多数载流子不同的电荷,所述第一电压处于所述第二电压与所述第三电压之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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