[发明专利]基板处理装置及方法

摘要

公开了一种基板处理装置和方法，其用于改善在基板上沉积的薄膜的均匀性，并且控制薄膜的品质，其中，所述装置包括处理腔室；基板支撑器，用于支撑至少一个基板，其中所述基板支撑器设置在所述处理腔室的底部；面对所述基板支撑器的腔室盖，所述腔室盖用于覆盖所述处理腔室的上侧；以及气体分配器，用于在其固定位置将活化的源气分配到所述基板上，其中所述气体分配器在其固定位置面对所述基板支撑器，所述气体分配器设置在所述腔室盖中，其中所述气体分配器通过使用等离子体形成气体来形成等离子体，并且通过将所述源气分配到用于形成等离子体的一部分等离子体区域来活化所述源气。

主权项

一种基板处理装置，包括：处理腔室；基板支撑器，用于支撑至少一个基板，其中，所述基板支撑器设置在所述处理腔室的底部；腔室盖，所述腔室盖面对所述基板支撑器，所述腔室盖用于覆盖所述处理腔室的上侧；以及气体分配器，用于在其固定位置将活化的源气分配到所述基板上，其中，所述气体分配器被设置在所述腔室盖中，所述气体分配器在其固定位置面对着所述基板支撑器，其中，所述气体分配器通过使用等离子体形成气体来形成等离子体，并且通过将所述源气分配到用于形成所述等离子体的一部分等离子体区域中来活化所述源气，其中，所述气体分配器包括：在空间上彼此分开的第一等离子体形成空间和第二等离子体形成空间，并且所述第一等离子体形成空间和所述第二等离子体形成空间均被供应等离子体形成气体；以及源气分配空间，所述源气分配空间设置在所述第一等离子体形成空间与所述第二等离子体形成空间之间以使所述第一等离子体形成空间与所述第二等离子体形成空间彼此分开，并且所述源气分配空间被供应所述源气，其中，所述源气被在包括所述源气分配空间的一部分下部区域处形成的等离子体活化，其中，所述气体分配器包括多个气体分配模块，所述多个气体分配模块用于将活化的源气分配到所述基板上，其中，所述多个气体分配模块在其固定位置面对着所述基板支撑器的不同区域，所述多个气体分配模块被设置在所述腔室盖中，其中，每一个所述气体分配模块包括：壳，所述壳具有多个接地电极，所述多个接地电极形成为使所述第一等离子体形成空间和所述第二等离子体形成空间与所述源气分配空间在空间上 彼此分开，其中，所述壳电接地到所述腔室盖；以及第一等离子体电极和第二等离子体电极，所述第一等离子体电极和第二等离子体电极各自插入到所述第一等离子体形成空间与所述第二等离子体形成空间中，以与所述壳电绝缘，并且所述第一等离子体电极和所述第二等离子体电极被供应等离子体电力。