[发明专利]半导体装置Tj温度的矫正、测量和控制有效
| 申请号： | 201380027610.4 | 申请日： | 2013-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN104335055B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | D.哈南;E.雷德马德;I.德罗尔 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 邱军,焦玉恒 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体装置，例如半导体裸芯，其包括当裸芯运行时在半导体裸芯的一个或者多个位置的用于扫描结温Tj的嵌入式温度传感器。一经检测到了在对于裸芯或者包含裸芯的封装体指定的温度之上热点的温度，该裸芯/封装体可能将被废弃。或者，可以改变裸芯的功能以降低热点的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 tj 温度 矫正 测量 控制 | ||
【主权项】：
一种提供半导体裸芯的方法，包括：(a)将多个温度传感器嵌入该半导体裸芯；(b)扫描运行中的该半导体裸芯中该多个温度传感器的一个或者多个，以确定该半导体裸芯的在一个或者多个位置的温度是否超过规定温度；(c)确定该半导体裸芯的在一个或者多个位置的温度超过规定温度，其中该方法还包括：(d)通过以下步骤构造包括半导体裸芯的封装体，减小超过规定温度的一个或者多个位置对该半导体封装体的影响：将第一半导体裸芯安装在第二半导体裸芯上，超过规定温度运行的该第一半导体裸芯的该一个或者多个位置悬置于该第二半导体裸芯的边缘。
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