[发明专利]HEMT装置和制造HEMT装置的方法有效
| 申请号： | 201380027246.1 | 申请日： | 2013-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN104350601B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | S·卡里尔;K·S·布特罗斯 | 申请（专利权）人： | HRL实验室有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙)11382 | 代理人： | 曹津燕,尹卓 |
| 地址： | 美国加利福*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种HEMT装置，包括衬底；设置在衬底上方的缓冲层；设置在缓冲层上方的载流子供应层；贯穿载流子供应层的栅极元件；和设置在载流子供应层上的漏极元件。载流子供应层在栅极元件和漏极元件之间具有不均匀的厚度，载流子供应层具有相邻于漏极元件的相对较大的厚度和相邻于栅极元件的相对较小的厚度。非均匀的二维电子气导电沟道形成在载流子供应层中，二维电子气导电沟道在栅极元件与漏极元件之间具有非均匀分布。 | ||
| 搜索关键词： | hemt 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种HEMT装置，包括：a.衬底；b.缓冲层，所述缓冲层设置在所述衬底的上方；c.载流子供应层，所述载流子供应层设置在所述缓冲层的上方；d.栅极元件，所述栅极元件贯穿所述载流子供应层；和e.漏极元件，所述漏极元件设置在所述载流子供应层上，其中，所述载流子供应层具有单调变化的锥形部，所述载流子供应层的厚度沿着所述单调变化的锥形部从所述栅极元件朝向所述漏极元件增加，并且所述HEMT装置在所述栅极元件和所述漏极元件之间具有恒定的电场分布。
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