[发明专利]HEMT装置和制造HEMT装置的方法

权利要求书

1.一种HEMT装置，包括：

a.衬底；

b.缓冲层，所述缓冲层设置在所述衬底的上方；

c.载流子供应层，所述载流子供应层设置在所述缓冲层的上方；

d.栅极元件，所述栅极元件贯穿所述载流子供应层；和

e.漏极元件，所述漏极元件设置在所述载流子供应层上，

其中，所述载流子供应层具有单调变化的锥形部，所述载流子供应层的厚度沿着所述单调变化的锥形部从所述栅极元件朝向所述漏极元件增加，并且所述HEMT装置在所述栅极元件和所述漏极元件之间具有恒定的电场分布。

2.根据权利要求1所述的HEMT装置，其中，所述缓冲层包含GaN，并且其中所述载流子供应层含有AlGaN。

3.根据权利要求1所述的HEMT装置，其中，所述缓冲层所含有的包括不同组III-氮的化合物不同于所述载流子供应层所含有的包括不同组III-氮的化合物。

4.根据权利要求1所述的HEMT装置，其中，在所述缓冲层中形成二维电子气导电沟道，所述二维电子气导电沟道在所述栅极元件和所述漏极元件之间具有非均匀分布。

5.根据权利要求1所述的HEMT装置，其中，所述载流子供应层具有在20-30％之间的范围内的铝摩尔分数。

6.一种制造HEMT装置的方法，包括以下步骤：

a.形成衬底；

b.在所述衬底的上方设置缓冲层；

c.在所述缓冲层的上方设置载流子供应层；

d.在所述载流子供应层上形成光致抗蚀剂层；

e.在所述光致抗蚀剂层中形成多个窗口开口，所述窗口开口的尺寸从起点向终点减小；

f.通过所述光致抗蚀剂层至少在紧邻所述窗口开口的区域中进行反应离子蚀刻，从而在所述载流子供应层中蚀刻出单调变化的锥形部；和

g.在所述起点处形成栅极元件，并且在所述终点处形成漏极元件，所述载流子供应层的厚度沿着所述单调变化的锥形部从所述栅极元件朝向所述漏极元件增加，所述栅极元件和所述漏极元件之间具有恒定的电场分布。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括以下步骤：

以钝化材料至少填充所述载流子供应层的通过所述多个窗口开口蚀刻的区域。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述形成所述栅极元件的步骤包括形成栅极电介质层和金属栅极。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述载流子供应层具有在20-30％之间的范围内的铝摩尔分数。