[发明专利]显示器件的阻隔材料

摘要

本文中描述的是包含一个或多个含硅层和金属氧化物层的装置。本文中还描述了形成一个或多个含硅层以用作，例如，显示器装置中的钝化层的方法。在一个具体的方面，所述装置包含透明金属氧化物层、氧化硅层和氮化硅层。在这个或其他方面，所述装置在350℃或更低的温度下沉积。本文中描述的含硅层包括一种或多种以下性质密度约1.9g/cm3或更高；氢含量约4x1022cm‑3或更低，通过紫外‑可见光分光光度计测量的在400‑700nm下的透光度为约90％或更高。

主权项

在金属氧化物衬底的至少一个表面上沉积含硅梯度层或双层的方法，所述方法包括：在反应室中提供所述衬底的所述至少一个表面；将选自下列的硅前体引入所述反应室中：a.三甲硅烷基胺(TSA)；b.具有式R1R2NSiH3的二烷基氨基硅烷，其中R1独立地选自C1‑10直链或支链烷基；C4至C10环烷基；C3至C12烯基；C3至C12炔基；和C6至C10芳基；R2独立地选自C1‑10直链或支链烷基；C4至C10环烷基；C3至C12烯基；C3至C12炔基；和C6至C10芳基；并且其中R1和R2相连形成环或R1和R2未相连形成环；c.式R1nR2mSiH4‑m‑n的烷基硅烷，其中R1独立地选自C1‑10直链或支链烷基；C4至C10环烷基；C3至C12烯基；C3至C12炔基；和C6至C10芳基；R2独立地选自C1‑10直链或支链烷基；C4至C10环烷基；C3至C12烯基；C3至C12炔基；和C6至C10芳基；并且其中R1和R2相连形成环或R1和R2未相连形成环；m是0、1、2、3；和n是1、2、3；d.具有式R1n(OR2)mSiH4‑m‑n的烷基烷氧基硅烷，其中R1独立地选自C1‑10直链或支链烷基；C4至C10环烷基；C3至C12烯基；C3至C12炔基；和C6至C10芳基；R2独立地选自C1‑10直链或支链烷基；C4至C10环烷基；C3至C12烯基；C3至C12炔基；和C6至C10芳基；并且其中R1和R2相连形成环或R1和R2未相连形成环；m是1、2、3或4；和n是0、1、2或3；e.具有式(R1R2N)nSiH4‑n的有机氨基硅烷，其中R1独立地选自C1‑10直链或支链烷基；C4至C10环烷基；C3至C12烯基；C3至C12炔基；和C6至C10芳基；R2独立地选自C1‑10直链或支链烷基；C4至C10环烷基；C3至C12烯基；C3至C12炔基；和C6至C10芳基；并且其中R1和R2相连形成环或R1和R2未相连形成环；和n是2、3或4；f.异氰酸根合硅烷，选自四(异氰酸根合)硅烷和三(异氰酸根合)硅烷；g.具有式R1R2R3SiN3的烷基叠氮基硅烷，其中R1、R2和R3独立地选自C1‑10直链或支链烷基；C4至C10环烷基；C3至C12烯基；C3至C12炔基；和C6至C10芳基；h.具有式(R1R2R3Si)2(CH2)n的烷基桥接二硅烷，其中R1、R2和R3独立地选自C1‑10直链或支链烷基；C4至C10环烷基；C3至C12烯基；C3至C12炔基；和C6至C10芳基；并且n＝1、2、3；i.具有式Si(OR1)4的烷氧基硅烷，其中R1独立地选自C1‑10直链或支链烷基；C4至C10环烷基；C3至C12烯基；C3至C12炔基；和C6至C10芳基；及其组合；j.1,4‑二硅杂丁烷；将氧源引入所述反应室中；在所述反应室中提供25℃至350℃的反应温度；和在所述衬底的所述至少一个表面上沉积所述含硅梯度层的下部或所述双层的下层；停止所述氧源；将含氮源引入所述反应室中：在所述衬底的所述至少一个表面上的所述含硅梯度层的下部或所述双层的下层上沉积所述含硅梯度层的上部或所述双层的上层；其中所述硅前体不含氧并且所述沉积选自化学气相沉积(CVD)、等离子增强的化学气相沉积(PECVD)、循环化学气相沉积(CCVD)、等离子体增强的循环化学气相沉积(PECCVD)、原子层沉积(ALD)、和等离子体增强的原子层沉积(PEALD)。