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[发明专利]制造3D装置的方法和前体-CN201610061517.0有效
发明人：李建恒;R·G·里奇韦;雷新建;R·N·弗尔蒂斯;韩冰;M·B·拉奥 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文描述了包含多个含硅层的装置，其中该含硅层选自氧化硅和氮化硅层或薄膜。本文还描述了形成例如待用作3D垂直NAND闪存堆叠的装置的方法。在所述装置的一个具体的方面中，氧化硅层具有轻微压缩应力和良好的热稳定性。在所述装置的这一或其他方面中，氮化硅层具有轻微拉伸应力和在最高达约800℃的热处理后小于300MPa的应力变化。在所述装置的这一或其他方面中，氮化硅层在热H3PO4中的蚀刻比氧化硅层快得多，表明良好的蚀刻选择性。
制造装置方法

[发明专利]烷基-烷氧基硅杂环化合物和利用该化合物沉积薄膜的方法-CN201510335186.0有效
发明人： R·N·弗尔蒂斯;R·G·里奇韦;李建恒;W·R·恩特莱;J·L·A·阿赫蒂尔;雷新建 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：提供了用于经由化学气相沉积生产多孔低k介电薄膜的方法和组合物。在一个方面，所述方法包括步骤：在反应室内提供衬底；将气体试剂引入所述反应室，其中所述气体试剂包含至少一种包含烷基‑烷氧基硅杂环化合物的结构形成前体和致孔剂；向所述反应室中的所述气体试剂施加能量以诱导所述气体试剂的反应以在所述衬底上沉积初步薄膜，其中所述初步薄膜包含所述致孔剂；和沉积所述初步薄膜；和从所述初步薄膜去除至少一部分包含于其中的所述致孔剂以提供具有孔和介电常数为约2.7或更低的所述薄膜。在某些实施方式中，所述结构形成前体还包含硬化添加剂。
烷基烷氧基硅杂环化合物利用化合物沉积薄膜方法

[发明专利]在多孔低介电常数薄膜上提供孔隙密封层的方法和组合物-CN201510702639.9有效
发明人：李建恒;R·N·弗尔蒂斯;R·G·里奇韦;雷新建;M·L·奥尼尔;江学忠 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及通过在多孔、低介电常数(“低k”)层的至少一个表面上提供附加薄介电薄膜(本文中称孔隙密封层)用于密封所述多孔低k层的孔隙而防止底层的介电常数的进一步损失的方法及其组合物。在一个方面，该方法包括：将多孔低介电常数薄膜接触至少一种有机硅化合物以提供吸收的有机硅化合物和采用紫外线、等离子体或两者处理该吸收的有机硅化合物，并重复进行直至形成所需厚度的孔隙密封层。
多孔介电常数薄膜提供孔隙密封方法组合

[发明专利]显示器件的阻隔材料-CN201380024294.5有效
发明人： R·G·里奇韦;A·D·约翰森;A·麦利卡尔珠南;R·N·弗尔蒂斯;雷新建;M·L·奥尼尔;萧满超;李建恒;M·T·萨沃 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2013-03-08 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本文中描述的是包含一个或多个含硅层和金属氧化物层的装置。本文中还描述了形成一个或多个含硅层以用作，例如，显示器装置中的钝化层的方法。在一个具体的方面，所述装置包含透明金属氧化物层、氧化硅层和氮化硅层。在这个或其他方面，所述装置在350℃或更低的温度下沉积。本文中描述的含硅层包括一种或多种以下性质密度约1.9g/cm3或更高；氢含量约4x1022cm‑3或更低，通过紫外‑可见光分光光度计测量的在400‑700nm下的透光度为约90％或更高。
显示器件阻隔材料

[发明专利]在薄膜晶体管器件上制备含硅膜的方法-CN201380024532.2有效
发明人： A·麦利卡尔珠南;A·D·约翰森;王美良;R·N·弗尔蒂斯;韩冰;雷新建;M·L·奥尼尔 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2013-03-08 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本文描述了低温加工的高质量含硅膜。还公开了在低温下形成含硅膜的方法。在一个方面，提供了具有约2nm至约200nm的厚度和约2.2g/cm³或更大的密度的含硅膜，其中所述含硅薄膜通过选自化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、循环化学气相沉积(CCVD)、等离子体增强循环化学气相沉积(PECCVD)、原子层沉积(ALD)和等离子体增强原子层沉积(PEALD)的沉积工艺沉积，并且所述气相沉积使用选自二乙基硅烷、三乙基硅烷以及它们的组合的烷基硅烷前体在约25℃至约400℃范围的一个或多个温度下进行。
薄膜晶体管器件制备含硅膜方法

[发明专利]具有优良集成性能的低k前体-CN201310378617.2有效
发明人： M·K·哈斯;R·N·弗尔蒂斯;L·M·马茨 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有优良的集成性能的低k前体。本发明的用于产生多孔有机硅玻璃薄膜的沉积包括：将气体试剂引入真空室中，该气体试剂包括一种有机硅烷或有机硅氧烷的前体及与该前体明显不同的致孔剂，其中所述致孔剂性质上是芳香性的；将能量施加于室中的气体试剂上以诱导气体试剂的反应而沉积薄膜，其包含所述致孔剂；和通过UV辐射除去基本上所有的有机物质以提供具有孔和介电常数小于2.6的多孔薄膜。
具有优良集成性能

[发明专利]形成受控的空隙的材料和方法-CN201210022734.0有效
发明人： R·N·弗尔蒂斯;吴定军;M·L·奥奈尔;M·D·比特纳;J·L·文森特;E·J·小卡瓦克基;A·S·卢卡斯 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2007-04-18 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及形成受控的空隙的材料和方法。本发明的一个技术方案是在基底上形成气隙的方法，该方法包括：提供基底；通过沉积至少一种牺牲材料前体来沉积牺牲层；沉积复合层；除去复合层中的成孔剂以形成多孔层和使层状基底与除去介质接触以基本上除去牺牲材料并且在基底内提供气隙；其中至少一种牺牲材料前体选自有机成孔剂；硅和极性溶剂可溶的金属氧化物和其混合物。
形成受控空隙材料方法

[发明专利]具有优良集成性能的低k前体-CN201010606153.2有效
发明人： M·K·哈斯;R·N·弗尔蒂斯;L·M·马茨 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有优良的集成性能的低k前体。本发明的用于产生多孔有机硅玻璃薄膜的沉积包括：将气体试剂引入真空室中，该气体试剂包括一种有机硅烷或有机硅氧烷的前体及与该前体明显不同的致孔剂，其中所述致孔剂性质上是芳香性的；将能量施加于室中的气体试剂上以诱导气体试剂的反应而沉积薄膜，其包含所述致孔剂；和通过UV辐射除去基本上所有的有机物质以提供具有孔和介电常数小于2.6的多孔薄膜。
具有优良集成性能

[发明专利]抗反射涂层-CN200810179929.X无效
发明人： R·N·弗尔蒂斯;M·L·奥尼尔;A·D·约翰逊 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2008-10-13 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种在基质中形成特征的方法，其包括步骤：在基质上形成介电层；在介电层上形成抗反射涂层；在抗反射涂层上形成光刻胶图案；穿过图案化的光刻胶蚀刻介电层；和除去抗反射涂层和光刻胶，其中抗反射涂层为由式Si_vO_wC_xN_uH_yF_z表示的薄膜，其中v+w+x+u+y+z＝100％，v为1-35原子％，w为1-40原子％，x为5-80原子％，u为0-50原子％，y为10-50原子％以及z为0-15原子％，其中抗反射涂层是通过组合物化学气相沉积形成的，其中所述组合物包含(1)从有机硅烷、有机硅氧烷和氨基硅烷组成的组中选择的至少一种前体；和(2)烃，并且其中所述烃基本上不从抗反射涂层中除去。
反射涂层

[发明专利]用于光伏应用的抗反射涂层-CN200810178599.2有效
发明人： P·T·赫尔利;R·G·里奇韦;R·N·弗尔蒂斯;M·L·奥尼尔;A·D·约翰逊 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2008-10-13 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种制造包含含有p-n结的硅基质的光伏设备的方法，其中该方法包括步骤：通过在至少一个硅基质的表面上由组合物化学气相沉积形成无定形碳化硅抗反射涂层，其中该组合物包含由有机硅烷、氨基硅烷及其混合物组成的组中选择的前体，其中该无定形碳化硅抗反射涂层是由式Si_vC_xN_uH_yF_R表示的薄膜，其中v+x+u+y+z＝100％，v为1-35原子％，x为5-80原子％，u为0-50原子％，y为10-50原子％且z为0-15原子％。
用于应用反射涂层

[发明专利]形成受控的空隙的材料和方法-CN200710103575.6有效
发明人： R·N·弗尔蒂斯;吴定军;M·L·奥奈尔;M·D·比特纳;J·L·文森特;E·J·小卡瓦克基;A·S·卢卡斯 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2007-04-18 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：本发明是在基底上形成气隙的方法，该方法包括：提供基底；通过沉积至少一种牺牲材料前体来沉积牺牲层；沉积复合层；除去复合层中的成孔剂以形成多孔层和使层状基底与除去介质接触以基本上除去牺牲材料并且在基底内提供气隙；其中至少一种牺牲材料前体选自有机成孔剂；硅和极性溶剂可溶的金属氧化物和其混合物。
形成受控空隙材料方法

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