[发明专利]热辅助磁记录介质和磁记录再生装置有效
| 申请号： | 201380022551.1 | 申请日： | 2013-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN104303232B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 神边哲也;丹羽和也;村上雄二;张磊 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/738 | 分类号： | G11B5/738;G11B5/65 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 刘航,段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 使用一种热辅助磁记录介质(1)，该磁记录介质具备基板(101)；在基板(101)上形成的基底层(3)；和在基底层(3)的正上方形成的以具有L10结构的合金为主成分的磁性层(107)，基底层(3)是以下的层连续地层叠而成的第1基底层(104)，其具有晶格常数为0.302nm以上0.332nm以下的BCC结构；第2基底层(105)，其含有C且具有NaCl结构；和第3基底层(106)，其由MgO形成。 | ||
| 搜索关键词： | 辅助 记录 介质 再生 装置 | ||
【主权项】：
一种热辅助磁记录介质，其特征在于，具备：基板；在上述基板上形成的基底层；和在上述基底层的正上方形成的以具有L10结构的合金为主成分的磁性层，上述基底层是从所述基板侧开始由第1基底层、第2基底层和第3基底层连续层叠而成的，上述第1基底层具有晶格常数为0.302nm以上0.332nm以下的BCC结构，上述第2基底层含有C且具有NaCl结构，上述第3基底层由MgO形成。
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