[发明专利]热辅助磁记录介质和磁记录再生装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于硬盘装置(HDD)等中的热辅助磁记录介质和磁记录再生装置。

本申请基于2012年5月1日在日本提出的专利申请2012-104566号要求优先权，将其内容援引于本申请中。

背景技术

近年来，对于硬盘驱动器HDD的大容量化的要求日益增强。作为满足该要求的手段，已提出用搭载激光光源的磁头加热磁记录介质并进行记录的热辅助记录方式。在热辅助记录方式中，通过加热磁记录介质能够大幅度降低矫顽力，因此磁记录介质的磁性层中能够使用晶体磁各向异性常数Ku高的材料。因此，能够在维持热稳定性的状态下实现磁性粒径的微细化，能够达成1Tbit/inch²级的面密度。

作为高Ku磁性材料，已知L1₀型FePt合金、L1₀型CoPt合金、L1₁型CoPt合金等的有序合金等。另外，在磁性层中，为了将由上述有序合金形成的晶粒分隔，添加有SiO₂、TiO₂等的氧化物、或C、BN等来作为晶界层材料。通过将磁记录介质的磁性层设为磁性晶粒用晶界相分离了的颗粒结构，能够降低磁性粒子间的交换耦合，能够实现高的SNR(高信噪比)。

为得到具有高的垂直磁各向异性的热辅助记录介质，需要使磁性层中的L1₀型有序合金取得良好的(001)取向。磁性层的取向能够利用基底层来控制，因此为实现该取向需要设置适当的基底层。

例如，在专利文献1中示出了通过使用MgO基底层，L1₀型FePt磁性层显示出良好的(001)取向。另外，在专利文献2中记载了通过在CrTiB 合金等的具有BCC结构的基底层上形成MgO基底层，L1₀型FePt磁性层显示出更加良好的(001)取向。而且，在专利文献3、专利文献4中记载了通过在TiN、CrN等的具有NaCl结构的基底层上形成L1₀型FePt磁性层，上述磁性层显示良好的(001)取向。

在先技术文献

专利文献1：日本特开平11-353648号公报

专利文献2：日本特开2009-158054号公报

专利文献3：日本特开2009-146558号公报

专利文献4：US7829208-B2

发明内容

但是，在以往的热辅助记录介质中，作为磁性层要求设为下述磁性层：使在使用以作为晶体磁各向异性常数Ku高的材料的具有L1₀结构的合金为主成分的磁性层的情况下的磁性层的(001)取向更进一步良好，且矫顽力高、反转磁场分散狭窄、能够得到高的SNR的热辅助记录介质。

本发明是鉴于这样的现有状况而提出的，其目的是提供磁性层显示良好的(001)取向，矫顽力高、反转磁场分散狭窄、能得到高的SNR的热辅助记录介质。

另外，本发明的目的是提供具备本发明的热辅助记录介质的误码率低、具有高的可靠性的磁记录再生装置。

热辅助记录介质的磁性层的取向性、磁特性，能够通过在磁性层的正下方形成的基底层来控制。因此，本发明人为解决上述课题而着眼于基底层并反复进行了锐意研究。

其结果发现通过制成为下述热辅助磁记录介质，能够解决上述课题，从而完成了本发明，所述热辅助磁记录介质，具备：

基板；

在上述基板上形成的基底层；和

在基底层的正上方形成的以具有L1₀结构的合金为主成分的磁性层，

上述基底层是以下的层从基板侧连续地层叠而成的多层基底层：

第1基底层，其具有晶格常数为0.302nm以上0.332nm以下的BCC结构；

第2基底层，其含有C且具有NaCl结构；和

第3基底层，其由MgO形成。

即，本申请发明涉及下述技术方案。

(1)一种热辅助磁记录介质，其特征在于，具备：

基板；

在上述基板上形成的基底层；和

在上述基底层的正上方形成的以具有L1₀结构的合金为主成分的磁性层，

上述基底层是以下的层连续地层叠而成的：

第1基底层，其具有晶格常数为0.302nm以上0.332nm以下的BCC结构；

第2基底层，其含有C且具有NaCl结构；和

第3基底层，其由MgO形成。