[发明专利]半导体发光元件

摘要

在本发明的半导体发光元件中，在半导体基板(300)上，第1导电型的第1包覆层(312)、量子阱活性层(314)、第2导电型的第2包覆层(316)依次被层叠。在第2包覆层(316)，通过脊形条纹来形成波导。在将射出激光的前端面处的脊形条的宽度设为Wf，将与前端面相反的一侧的后端面处的脊形条的宽度设为Wr，将前端面的反射率设为Rf，将后端面的反射率设为Rr时，具有Rf＜Rr以及Wf＞Wr的关系。在波导中，基本横模、1次高次横模、2次高次横模以及3次高次横模被导波。

主权项

一种半导体发光元件，其特征在于，在半导体基板上，第1导电型的第1包覆层、量子阱活性层、第2导电型的第2包覆层依次被层叠，在所述第2包覆层，通过脊形条来形成波导，在将射出激光的一侧即前端面处的所述脊形条的宽度设为Wf，将与所述前端面相反的一侧即后端面处的所述脊形条的宽度设为Wr，将所述前端面的反射率设为Rf，将所述后端面的反射率设为Rr时，具有Rf＜Rr以及Wf＞Wr的关系，在所述波导中，基本横模、1次高次横模、2次高次横模以及3次高次横模被导波，所述前端面处的电流注入区域的宽度比所述前端面处的所述脊形条的宽度Wf小，在所述第2包覆层上，还具备接触层，所述前端面处的所述接触层的宽度Wc比所述前端面处的所述脊形条的宽度Wf小，在设ΔW＝Wf‑Wc，并将所述脊形条相对于谐振器方向的平均脊形条宽设为Wave时，谐振器长处于800μm至1300μm的范围，Wave处于10μm至30μm的范围，ΔW处于((Wave/4+0.33)±2)μm以内的范围，其中，Wave的单位是μm，在将所述波导中的所述脊形条的宽度在谐振器方向上变化的区域的长度设为L，将该变化的起始端与终结端处的所述脊形条的宽度差的绝对值设为ΔW1，角度θ是满足tan(θ)＝ΔW1/(2L)的角度时，θ处于0.05°以上并且0.15°以下的范围。