[发明专利]光固化物的制造方法有效
申请号: | 201380021750.0 | 申请日: | 2013-04-23 |
公开(公告)号: | CN104246976B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 伊藤俊树;饭村晶子 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B29C59/02 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种光固化物的制造方法,通过其可改进转印精度并且可获得小的表面粗糙度。所述方法包括以下步骤:将光固化性组合物配置在基板上;使模具与光固化性组合物接触;用光照射光固化性组合物;以及使模具从光固化性组合物脱模。接触在冷凝性气体气氛中进行,冷凝性气体在接触时的温度条件下和在当光固化性组合物侵入基板与模具之间的间隙或模具上设置的凹部时冷凝性气体受到的压力条件下冷凝,并且光固化性组合物包括相对于冷凝性气体的重量变化率为‑1.0%至3.0%的气体溶解抑制剂。 | ||
搜索关键词: | 光固化 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光固化物的制造方法,所述光固化物具有预定图案化形状,所述制造方法的特征在于,其包括以下步骤:将光固化性组合物配置在基板上;使模具与所述光固化性组合物接触;用光照射所述光固化性组合物;以及使所述模具从所述光固化性组合物脱模,其中所述接触在冷凝性气体气氛中进行,所述冷凝性气体在所述接触时的温度条件下和在当所述光固化性组合物侵入所述基板与所述模具之间的间隙或所述模具上设置的凹部时所述冷凝性气体受到的压力条件下冷凝,和所述光固化性组合物包括可聚合单体和气体溶解抑制剂,和所述气体溶解抑制剂暴露于所述冷凝性气体前后的重量变化率为‑1.0%至3.0%,和所述气体溶解抑制剂与所述可聚合单体的相对组合比为0.01重量%以上且99.9重量%以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社,未经佳能株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380021750.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:SiC上的高电压功率半导体器件
- 下一篇:电子发射冷阴极器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造