[发明专利]光固化物的制造方法有效
申请号: | 201380021750.0 | 申请日: | 2013-04-23 |
公开(公告)号: | CN104246976B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 伊藤俊树;饭村晶子 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B29C59/02 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光固化 制造 方法 | ||
1.一种光固化物的制造方法,所述光固化物具有预定图案化形状,所述制造方法包括以下步骤:
将光固化性组合物配置在基板上;
使模具与所述光固化性组合物接触;
用光照射所述光固化性组合物;以及
使所述模具从所述光固化性组合物脱模,其中
所述接触在冷凝性气体气氛中进行,
所述冷凝性气体在所述接触时的温度条件下和在当所述光固化性组合物侵入所述基板与所述模具之间的间隙或所述模具上设置的凹部时所述冷凝性气体受到的压力条件下冷凝,和
所述光固化性组合物包括相对于所述冷凝性气体的重量变化率为-1.0%至3.0%的气体溶解抑制剂。
2.根据权利要求1所述的光固化物的制造方法,其中在所述配置时,将所述光固化性组合物配置于彼此远离的多个位置。
3.根据权利要求1所述的光固化物的制造方法,其中在所述配置时,将所述光固化性组合物配置在所述基板的整面上。
4.根据权利要求1-3任一项所述的光固化物的制造方法,其中所述气体溶解抑制剂包括苯乙烯衍生物。
5.根据权利要求4所述的光固化物的制造方法,其中所述苯乙烯衍生物包括苯乙烯共聚物。
6.根据权利要求4所述的光固化物的制造方法,其中所述苯乙烯衍生物包括聚苯乙烯。
7.根据权利要求1-6任一项所述的光固化物的制造方法,其中所述冷凝性气体在室温下具有0.05MPa以上且1.00MPa以下的蒸气压。
8.根据权利要求1-6任一项所述的光固化物的制造方法,其中所述冷凝性气体在大气压下具有15℃以上且30℃以下的沸点。
9.根据权利要求1-8任一项所述的光固化物的制造方法,其中所述冷凝性气体包括碳氟化合物类。
10.根据权利要求9所述的光固化物的制造方法,其中所述碳氟化合物类包括1,1,1,3,3-五氟丙烷、三氯氟甲烷和甲基五氟乙基醚的至少一种。
11.根据权利要求1-10任一项所述的光固化物的制造方法,其中所述模具使照射时使用的光透过。
12.根据权利要求1-11任一项所述的光固化物的制造方法,其中所述光固化物具有20nm以下的图案间隔。
13.根据权利要求1-12任一项所述的光固化物的制造方法,其中
所述模具具有小于所述基板的面积的面积,
使用所述模具在所述基板上的多个区域进行所述配置、所述接触、所述照射和所述脱模,和
将各自具有追随所述模具的凹凸形状的图案化形状的多个光固化物设置在所述基板上。
14.一种具有电路的基板的制造方法,其包括:使用掩模加工所述基板,由此在所述基板上形成所述电路,所述掩模通过加工通过根据权利要求1-13任一项所述的方法制造的光固化物而获得。
15.一种光学组件,其包括:
基板;和
具有预定图案化形状的元件,
所述元件设置在所述基板上,其中
所述元件为通过根据权利要求1-13任一项所述的制造方法制造的光固化物。
16.一种电子组件,其包括:
基板;和
设置在所述基板上的电子元件,其中
所述基板为通过根据权利要求14所述的制造方法制造的具有电路的基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造