[发明专利]光固化物的制造方法有效
申请号: | 201380021750.0 | 申请日: | 2013-04-23 |
公开(公告)号: | CN104246976B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 伊藤俊树;饭村晶子 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B29C59/02 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光固化 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及光固化物、特别是具有预定图案化形状的光固化物的制造方法。
背景技术
作为以纳米级加工树脂材料或制作具有纳米级图案的树脂膜的技术,光纳米压印是可用的。
光纳米压印技术使用在其表面上形成微细凹凸图案的模具,以制得具有追随该微细凹凸图案的图案化形状的树脂材料/树脂膜。更具体地,光纳米压印技术为形成/加工树脂膜的技术,其中将模具压向在其上施涂有抗蚀剂(光固化性组合物)的基板并且隔着模具用光照射抗蚀剂以固化,从而将模具的凹凸图案转印至基板上的抗蚀膜。
光纳米压印技术中待解决的问题之一为如何将模具的凹凸图案精确地转印至抗蚀膜。当将图案转印至抗蚀膜时,如果使模具在大气气氛中与抗蚀剂接触,则可通过构成抗蚀膜的光固化性组合物的侵入而卷入在基材与模具之间的间隙或模具上的凹部存在的大气。因此,即使模具与抗蚀膜接触后气泡也可能残留在模具与抗蚀膜之间,这导致不能将模具的凹凸图案精确地转印至抗蚀膜。
为了解决该问题,专利文献1提出进行以下步骤的方法:在构成抗蚀膜的光固化性组合物侵入基材与模具之间的间隙或模具上的凹部时的压力和温度条件下在冷凝冷凝性气体的气氛中使模具与抗蚀膜接触。
引文列表
专利文献
专利文献1:日本专利No.3700001
非专利文献
非专利文献1:Reibai口袋书(冷却剂用口袋书(Pocketbook for Coolants))(Asahi Glass Co.,Ltd.),第81页
发明内容
发明要解决的问题
虽然通过专利文献1提出的方法能够精确转印至抗蚀膜,但产生在所得光固化膜上纳米级表面粗糙度的另一问题。
考虑到上述问题和课题,本发明的目的是提供通过光纳米压印技术制造具有预定图案化形状的光固化物的方法,其中改进转印精度并获得较小表面粗糙度的光固化物。
用于解决问题的方案
一种具有预定图案化形状的光固化物的制造方法,其包括以下步骤:将光固化性组合物配置在基板上;使模具与光固化性组合物接触;用光照射光固化性组合物;以及使模具从光固化性组合物脱模,其中接触在冷凝性气体气氛中进行,所述冷凝性气体在接触时的温度条件下和在当光固化性组合物侵入基板与模具之间的间隙或模具上设置的凹部时冷凝性气体受到的压力条件下冷凝,并且光固化性组合物包括相对于冷凝性气体的重量变化率为-1.0%至3.0%的气体溶解抑制剂。
发明的效果
本发明可提供一种通过其可改进转印精度并且可获得小表面粗糙度的光固化物的制造方法。
参考附图从以下示例性实施方案的描述中,本发明的进一步特征将变得显而易见。
附图说明
图1A、1B、1CA、1CB、1D、1E、1F和1G为示出根据本发明的制造方法的光固化物和具有电路的基板的制造工艺的示意性截面图。
图2A和2B为示出在彼此远离的多个位置配置的光固化性组合物的状态的平面图。
具体实施方式
以下详细描述本发明的实施方案。本发明不限于以下实施方案,当然,本发明包括在不偏离本发明的精神的范围内并且基于本领域中公知常识对以下实施方案适当地进行的改变和改进。
本发明的光固化物的制造方法为制造在基板上具有预定图案化形状的光固化物,其至少包括以下(1)-(4)步骤:
(1)将光固化性组合物配置在基板上;
(2)使模具与光固化性组合物接触;
(3)用光照射光固化性组合物;以及
(4)使模具从光固化性组合物脱模。
在本发明中,上述接触步骤(2)在冷凝性气体的气氛中进行。在本发明中,用于接触步骤(步骤(2))的冷凝性气体在(2-1)所示的温度条件和(2-2)所示的压力条件下冷凝:
(2-1)接触步骤的温度条件;和
(2-2)当光固化性组合物侵入基板与模具之间的间隙或模具上的凹部时给予至冷凝性气体的压力条件。
在本发明中,在步骤(1)中使用的光固化性组合物包括相对于冷凝性气体的重量变化率为-1.0%至3.0%的气体溶解抑制剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造