[发明专利]发光半导体器件和用于制造发光半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201380018936.0 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104221173B | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·施瓦茨;斯特凡·伊莱克 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/64;H01L25/075;H01L33/54 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 丁永凡,张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出一种发光半导体器件(100，200，300)，其具有发光半导体芯片(1)，所述发光半导体芯片具有半导体层序列(17)、光耦合输出面(11)、与光耦合输出面(11)相对置的后侧面(12)和侧面(13)；并且具有带有成形体(20)的载体本体(2)，所述成形体形状配合地且直接地覆盖侧面(13)，其中在后侧面(12)上构成两个电接触层(14)和热接触层(15)，其中热接触层(15)与电接触层(14)和半导体层序列(17)电绝缘，其中载体本体(2)在后侧面(12)上具有与电接触层(14)直接接触的电连接元件(24)和与热接触层(15)直接接触的热连接元件(25)，并且其中热连接元件(25)至少部分地形成半导体器件(100，200，300)的背离半导体芯片(1)的安装面(22)。此外，提出一种用于制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造发光半导体器件(100，200，300)的方法，所述方法具有下述步骤：A)提供发光半导体芯片(1)，所述发光半导体芯片具有半导体层序列(17)、光耦合输出面(11)、与所述光耦合输出面(11)相对置的后侧面(12)和将所述光耦合输出面(11)和所述后侧面(12)连接的侧面(13)，其中在所述半导体芯片(1)的所述后侧面(12)上构成两个电接触层(14)和热接触层(15)，并且所述热接触层(15)与所述电接触层(14)和所述半导体层序列(17)电绝缘，B)构成用于所述半导体芯片(1)的载体本体(2)，具有下述子步骤：B1)借助成形体(20)对所述半导体芯片(1)改型，所述成形体形状配合地且直接地覆盖所述半导体芯片(1)的所述侧面(13)，B2)在所述半导体芯片(1)的所述后侧面(12)上，通过电镀方法构成与所述半导体芯片(1)的所述电接触层(14)直接接触的电连接元件(24)和与所述半导体芯片(1)的所述热接触层(15)直接接触的热连接元件(25)，其中施加具有一定厚度的所述热连接元件(25)，使得所述热连接元件形成所述半导体器件(100，200，300)的背离所述半导体芯片(1)的安装侧(22)。
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