[发明专利]导电薄膜、用于形成导电薄膜的涂布液、场效应晶体管、以及用于生产场效应晶体管的方法有效
| 申请号： | 201380015030.3 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104205340B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 松本真二;植田尚之;中村有希;安部由希子;高田美树子;曾根雄司;早乙女辽一 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/288;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/532;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 赵蓉民,张全信 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供导电薄膜，其包含含有铟和锡的金属氧化物；以及金。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 薄膜 用于 形成 涂布液 场效应 晶体管 以及 生产 方法 | ||
【主权项】：
场效应晶体管，其包括：n‑型氧化膜；和与所述场效应晶体管的所述n‑型氧化膜接触的导电膜，所述导电膜包含：含有铟和锡的金属氧化物；和金颗粒，其中铟原子数(A)、锡原子数(B)和金原子数(C)满足下式(1)：0.28≤[C/(A+B+C)]≤0.61式(1)，并且其中在包含所述金属氧化物和所述金颗粒的导电膜中，所述金属氧化物由具有平均粒径在10nm到100nm范围内的金属氧化物颗粒组成，并且所述金颗粒在所述金属氧化物颗粒的外部并且具有在10nm到100nm范围内的平均粒径，并且所述金属氧化物颗粒与在所述金属氧化物颗粒外部的所述金颗粒在所述导电膜内彼此接触，和其中在所述金属氧化物颗粒外部并具有在10nm到100nm范围内的平均粒径的所述金颗粒遍及所述导电膜彼此接触以形成互相连接的金颗粒的网络。
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