[发明专利]磁阻效应元件及磁存储器

摘要

本发明提供在膜面内进行垂直磁化记录的记录层的热稳定性高的磁阻效应元件及使用了该磁阻效应元件的磁存储器。所述磁阻效应元件具备包含磁化方向不变的第一强磁性层(106)、磁化方向可变的第二强磁性层(109)、设置在第一强磁性层(106)和第二强磁性层(109)之间的第一非磁性层(110)、与第一强磁性层及第二强磁性层连接的电流供给端子(201、202)、设置在第二强磁性层(109)的与第一非磁性层(110)相反侧的面上的非磁耦合层(203)、设置在非磁耦合层(203)的与第二强磁性层(109)的相反侧的面上的磁化方向可变的第三强磁性层(204)、设置在第三强磁性层(204)的与所述非磁耦合层(203)相反侧面上的第二非磁性层(205)；所述第二强磁性层(109)与所述第三强磁性层(204)磁化方向相同，通过电流进行自旋注入磁化反转。

主权项

一种磁阻效应元件，其特征在于，其具备：包含在膜面垂直方向上磁化方向不变的第一强磁性层的固定层、在膜面垂直方向上磁化方向可变的第二强磁性层、与所述第二强磁性层邻接设置的第一非磁性层、所述第二强磁性层与所述第一非磁性层相对的另一侧的面邻接设置的非磁耦合层、所述非磁耦合层与所述第二强磁性层相对的另一侧的面邻接设置的在膜面垂直方向上磁化方向可变的第三强磁性层、所述第三强磁性层与所述非磁耦合层相对的另一侧的面邻接设置的第二非磁性层；所述第二强磁性层及所述第三强磁性层分别含有Fe、Co、Ni中的至少一种，进一步地，为了在薄膜沉积后不久就形成无定型状态，分别含有B、C、N、O、F、Si、Al、P、S中的至少一种；所述第二强磁性层与所述第三强磁性层的磁化方向相同；所述第二强磁性层与所述第三强磁性层的总膜厚为2nm以上；所述非磁耦合层的膜厚为0.3nm以上不足1.0nm。