[发明专利]具有改进的阻挡层相容性和清洁性能的CPM后配制物有效
| 申请号： | 201380014993.1 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104334706A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 刘俊;特雷斯·昆廷·赫德;孙来生;史蒂文·梅德;郑湘宁 | 申请（专利权）人： | 安格斯公司 |
| 主分类号： | C11D3/28 | 分类号： | C11D3/28;H01L21/304;C11D3/30;C11D3/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 刘慧;杨青 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于从其上具有化学机械抛光(CMP)后残留物和污染物的微电子器件清除所述残留物和污染物的清洁组合物和方法。所述清洁组合物包含至少一种季碱、至少一种胺、至少一种氮杂唑腐蚀抑制剂、至少一种还原剂和至少一种溶剂。所述组合物实现所述CPM后残留物和污染物材料从所述微电子器件表面的高效清除，并同时与阻挡层相容，其中所述阻挡层实质上不含钽或钛。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 阻挡 相容性 清洁 性能 cpm 配制 | ||
【主权项】：
一种从其上具有残留物和污染物的微电子器件去除所述残留物和污染物的方法，所述方法包括将所述微电子器件与清洁组合物接触足以至少部分地从所述微电子器件清除所述残留物和污染物的时间，其中所述清洁组合物包含至少一种季碱、至少一种胺、至少一种氮杂唑腐蚀抑制剂、至少一种还原剂和至少一种溶剂，其中所述微电子器件包含暴露的阻挡层，所述阻挡层减少铜在低k介电材料中的扩散。
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