[发明专利]SiC半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201380010206.6 | 申请日： | 2013-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN104126219B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 今井文一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/329;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的方法对SiC基板(1)上的包含镍和钛的层进行加热以形成包含碳化钛的硅化镍层(4)，包含镍和钛的层使用蒸镀或溅射来形成，通过1100℃以上1350℃以下的加热来生成硅化镍层(4)。此时，在升温速度10℃/分钟以上1350℃/分钟以下、加热保持时间0分钟以上120分钟以下的条件下进行。利用这些加热条件，能够得到背面接触电阻足够低、且均匀的SiC半导体器件用背面电极(8)。 | ||
| 搜索关键词： | sic 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，在SiC半导体上形成电极结构，其特征在于，在所述SiC半导体上形成包含镍和钛的层之后，通过加热来生成具有碳化钛的硅化镍层，在具有所述碳化钛的硅化镍层上形成金属层，从而形成所述电极结构，所述加热在1150℃以上1350℃以下的条件下进行，所述加热在升温速度为10℃/分钟以上100℃/分钟以下、加热保持时间为120分钟以下的条件下进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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