[发明专利]用于半导体LED的涂布的窄带发红光氟硅酸盐有效
| 申请号： | 201380009682.6 | 申请日： | 2013-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN104114671B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | V.维勒;P.J.施米特 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/61;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周铁;汪扬 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供包括构造成生成光源光的光源和构造成将至少一部分光源光转换成发光材料光的微粒发光材料的照明单元，其中所述光源包括发光二极管（LED），其中所述微粒发光材料包括含核的粒子，所述核包括含有被四价锰掺杂的M'xM2‑2xAX6的磷光体，其中M'包括碱土金属阳离子，M包括碱金属阳离子，且x在0‑1的范围内，其中A包括四价阳离子，至少包括硅，其中X包括一价阴离子，至少包括氟，且其中所述粒子进一步包括金属磷酸盐/酯基涂层，其中所述金属磷酸盐/酯基涂层的金属选自Ti、Si和Al。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 led 窄带 红光 硅酸盐 | ||
【主权项】：
包括构造成生成光源光(11)的光源(10)和构造成将至少一部分光源光(11)转换成发光材料光(51)的微粒发光材料(20)的照明单元(100)，其中所述光源(10)包括发光二极管(LED)，其中所述微粒发光材料(20)包括含核(201)的粒子(200)，所述核(201)包括含有被四价锰掺杂的M'xM2‑2xAX6的磷光体(40)，其中M'包括碱土金属阳离子，M包括碱金属阳离子，且x在0‑1的范围内，其中A包括四价阳离子，至少包括硅，其中X包括一价阴离子，至少包括氟，且其中所述粒子(200)进一步包括金属磷酸盐/酯基涂层(202)，其中所述金属磷酸盐/酯基涂层的金属选自Ti、Si和Al。
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