[发明专利]利用纳米多孔结构的半导体元件分离方法有效
| 申请号： | 201380008280.4 | 申请日： | 2013-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN104094421A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 柳相完;姜珍镐 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司;全南大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 胡江海;韩明星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种利用纳米多孔结构的半导体元件分离方法，在分离基板和半导体元件的方法中，在没有表面金属层的状态下执行电化学蚀刻工艺，此后在沉积表面金属层之后，通过晶片键合和剥离工艺将GaN薄膜转印到金属晶片。所述利用纳米多孔结构的半导体元件分离方法包括如下步骤：在基板上生长第一n型氮化物层；在所述第一n型氮化物层上生长介电层；通过介电层，在所述第一n型氮化物层内部形成纳米多孔结构；在所述第一n型氮化物层上再生长第二n型氮化物层，以形成包含所述介电层的第二n型氮化物层；在所述第二n型氮化物层上生长多量子阱结构及p型氮化物层，并与通电型基板接合；及通过HF蚀刻而选择性地蚀刻所述介电层，以从基板分离半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 纳米 多孔 结构 半导体 元件 分离 方法 | ||
【主权项】：
一种利用纳米多孔结构的半导体元件分离方法，所述方法包括如下步骤：(a)在基板(100)上生长第一n型氮化物层(200)；(b)在所述第一n型氮化物层(200)上生长介电层(300)；(c)通过电解蚀刻，在所述第一n型氮化物层(200)内部形成纳米多孔结构(400)；(d)在所述第一n型氮化物层(200)上再生长第二n型氮化物层(500)，以形成包含所述介电层(300)的第二n型氮化物层(500)；(e)在所述第二n型氮化物层(500)上生长多量子阱结构(610)及p型氮化物层(620)，并与通电型基板(630)接合；及(f)通过氢氟酸蚀刻而选择性地蚀刻所述介电层(300)，以从基板(100)分离半导体元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔伟傲世有限公司;全南大学校产学协力团，未经首尔伟傲世有限公司;全南大学校产学协力团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380008280.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于由移动实体进行空白空间操作的方法和装置
- 下一篇：多线程计算
