[发明专利]利用纳米多孔结构的半导体元件分离方法

权利要求书

1.一种利用纳米多孔结构的半导体元件分离方法，所述方法包括如下步骤：

(a)在基板(100)上生长第一n型氮化物层(200)；

(b)在所述第一n型氮化物层(200)上生长介电层(300)；

(c)通过电解蚀刻，在所述第一n型氮化物层(200)内部形成纳米多孔结构(400)；

(d)在所述第一n型氮化物层(200)上再生长第二n型氮化物层(500)，以形成包含所述介电层(300)的第二n型氮化物层(500)；

(e)在所述第二n型氮化物层(500)上生长多量子阱结构(610)及p型氮化物层(620)，并与通电型基板(630)接合；及

(f)通过氢氟酸蚀刻而选择性地蚀刻所述介电层(300)，以从基板(100)分离半导体元件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介电层(300)为SiO₂、SiN_x。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述(b)步骤中，所述介电层(300)以具有预定规格的条纹图案或者格子图案来形成，并以形成于侧面的介电层(300)与形成于内部的介电层(300)彼此连接的图案来形成。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述(b)步骤中，利用纳米图案化工艺来形成所述介电层(300)，所述纳米图案化工艺包括铝阳极氧化方法、激光全息图案化方法或者纳米粒子涂层方法中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述(c)步骤中，在相同的掺杂浓度下设置低初始电压，并在预定时间之后增加电压，由此在所述第一n型氮化物层(200)内部形成纳米多孔结构(400)，以使纳米多孔结构的上部侧的孔隙率维持得小，使下部侧的孔隙率形成得大。

6.一种利用纳米多孔结构的半导体元件分离方法，所述方法包括如下步骤：

(a)在基板(100)上生长第一n型氮化物层(200)；

(b)将介电层(300)图案间隔作为半导体芯片规格而在所述第一n型氮化物层(200)上生长介电层(300)；

(c)通过电解蚀刻，在所述第一n型氮化物层(200)内部形成纳米多孔结构(400)；

(d)在所述第一n型氮化物层(200)上再生长第二n型氮化物层(500)；

(e)在所述第二n型氮化物层(200)上生长多量子阱结构(610)及p型氮化物层(620)之后，与通电型基板(630)接合；及

(f)通过氢氟酸蚀刻而选择性地蚀刻所述介电层(300)，以从基板(100)分离半导体元件。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述介电层(300)为SiO₂、SiN_x。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述(b)步骤中，利用纳米图案化工艺来形成所述介电层(300)，所述纳米图案化工艺包括铝阳极氧化方法、激光全息图案化方法或者纳米粒子涂层方法中的任意一种。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述(c)步骤中，在相同的掺杂浓度下设置低初始电压，并在预定时间之后增加电压，由此在所述第一n型氮化物层(200)内部形成纳米多孔结构(400)，以使纳米多孔结构的上部侧的孔隙率维持得小，使下部侧的孔隙率形成得大。