[发明专利]磁场强度的测量方法、磁通门型磁元件以及磁传感器无效

专利信息
申请号: 201380005685.2 申请日: 2013-03-29
公开(公告)号: CN104054002A 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: 长洲胜文 申请(专利权)人: 株式会社藤仓
主分类号: G01R33/05 分类号: G01R33/05
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 舒艳君;李洋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及磁场强度的测量方法、磁通门型磁元件以及磁传感器,形成在非磁性基板上的磁通门型磁元件具备:磁芯;卷绕在所述磁芯上的励磁线圈;卷绕在所述磁芯上的检测线圈;以及卷绕在所述磁芯上的反馈线圈。
搜索关键词: 磁场强度 测量方法 磁通门型磁 元件 以及 传感器
【主权项】:
一种磁通门型磁元件,形成在非磁性基板上,其特征在于,具备:磁芯;卷绕在所述磁芯上的励磁线圈;卷绕在所述磁芯上的检测线圈;以及卷绕在所述磁芯上的反馈线圈。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社藤仓,未经株式会社藤仓许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380005685.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种三轴磁通门传感器-201611005079.2
  • 雷冲;周勇 - 上海交通大学
  • 2016-11-15 - 2019-02-19 - G01R33/05
  • 本发明公开了一种基于硅立方体‑玻璃键合的微机电系统三轴磁通门传感器,涉及微机电系统领域,包括一个1立方厘米硅立方基座、三个微机电系统单轴磁通门传感器芯片;其中微机电系统单轴磁通门传感器芯片包含玻璃衬底、激励线圈、检测线圈、磁芯、电极和聚酰亚胺薄膜。三个微机电系统单轴磁通门传感器芯片通过硅‑玻璃键合沿正交的三个方向分别精确定位固定于硅立方基座共顶点正交的三个平面上。本发明解决了现有三轴磁通门传感器体积大、重量高、功耗大的问题,采用硅立方体‑玻璃键合的微机电系统三轴磁通门传感器利用微机电系统单轴磁通门传感器芯片和硅立方基座的键合,有效缩小了高精度三轴磁通门传感器的体积。
  • 一种磁通门传感器芯片-201611005078.8
  • 雷冲;周勇 - 上海交通大学
  • 2016-11-15 - 2019-01-22 - G01R33/05
  • 本发明公开了一种磁通门传感器芯片,涉及MEMS集成微制造领域,包括高阻硅衬底、激励线圈、检测线圈、磁芯、电极和二氧化硅薄膜;其中激励线圈和检测线圈均为微机电三维螺线管线圈,激励线圈和检测线圈的底层线圈位于高阻硅衬底表面的硅微槽阵列内,底层线圈上表面与硅衬底表面平齐,底层线圈通过二氧化硅薄膜与硅衬底和磁芯绝缘;底层线圈、磁芯与顶层线圈之间均通过二氧化硅薄膜绝缘。本发明采用二氧化硅薄膜进行绝缘包覆提高集成化磁通门传感器芯片的机械强度,且实现与微电子工艺的完全兼容,可实现集成化磁通门传感器芯片与CMOS接口电路的兼容同步集成制造。
  • 一种磁通门传感器及其制造方法-201611059268.8
  • 唐衡;曹馨;李翠红;王磊;王开天;杜爱民;冯晓;孙树全 - 中国科学院地质与地球物理研究所
  • 2016-11-25 - 2017-05-31 - G01R33/05
  • 本发明一种磁通门传感器及其制造方法,通过在绝缘基底表面上利用薄膜生长技术生成一层软磁材料(坡莫合金薄膜)作为磁芯;在所述软磁材料层上形成一层绝缘层之后沉积一层金属导电层,薄膜生长技术能够人为排列坡莫合金分子构成方式,达到高精度控制其均匀度和薄厚程度;再使用刻蚀技术将金薄膜雕刻成激励线圈和感应线圈,仪器设备监控流程,形成一个纳米级别的磁通门传感器;本发明解放了人力,速度快,效率高,废品率少,一次性投入之后节约大量人力成本;磁通门磁传感器本身具有体积小,精度高,功耗极低,灵敏度高,便于大批量生产,成品率高等优点。
  • 用于测量磁场的设备和方法-201280014110.2
  • F·沙茨;P·法贝尔;S·魏斯;G·拉梅尔;F·本尼尼 - 罗伯特·博世有限公司
  • 2012-02-23 - 2013-12-18 - G01R33/05
  • 本发明涉及一种用于测量磁场的设备,其具有芯(1)和励磁线圈,所述芯具有可重新磁化的芯材,所述励磁线圈用于重新磁化所述芯材,其中所述可重新磁化的芯材被构造为一个层或多个彼此隔开地设置的层(12、14、16),并且所述芯(10)具有2.5mm≥G≥0.2mm的最大总延展G、长度与宽度的大于或等于值20的比例和2μm≥D≥0.2μm的厚度D。本发明还涉及一种用于测量磁场的相应的方法。
  • 磁通门传感器及使用其的电子方位计-201080021371.8
  • 大森贤一;相沢卓也;中尾知 - 株式会社藤仓
  • 2010-05-21 - 2012-04-25 - G01R33/05
  • 本发明提供一种磁通门传感器,其特征在于,包含:形成于基板上的第1配线层;以覆盖上述第1配线层的方式形成的第1绝缘层;磁芯,该磁芯形成于上述第1绝缘层上,具有中央部分和位于上述中央部分的两端的端部分,该端部分与上述中央部分连接且具有比上述中央部分的宽度宽的宽度;覆盖上述磁芯且形成于上述第1绝缘层上的第2绝缘层;形成于上述第2绝缘层上的第2配线层,上述第1配线层以及上述第2配线层具有多个彼此大致平行的配线,上述第1配线层的配线以及上述第2配线层的配线的两端经由上述第1绝缘层和上述第2绝缘层的被选择性去除的部分而被电连接,在上述端部分卷绕螺旋状的第1电磁线圈,在上述中央部分卷绕螺旋状的第2电磁线圈。
  • 磁场感测器件-201080005267.X
  • P·G·马泽;J·M·斯劳特 - 艾沃思宾技术公司
  • 2010-02-08 - 2011-12-21 - G01R33/05
  • 一种用于确定磁场强度的磁场感测器件,包括被配置成电桥(200)的四个磁隧道结元件或者元件阵列(100)。电流源耦合到设置在四个磁隧道结元件(100)中的每个附近的电流线路(116),用于选择性地提供在时间上间隔开的第一和第二电流。耦合到电流源的采样电路(412、414)在第一和第二电流期间对电桥输出进行采样,并根据第一和第二值的差确定磁场值。
  • 磁传感器元件和使用该元件的磁传感器-200780011540.8
  • 莲沼孝 - 西铁城电子股份有限公司
  • 2007-03-29 - 2009-04-15 - G01R33/05
  • 一种正交磁通门磁传感器元件,配有基板;设置在基板上生成磁场的激发图案;设置成与激发图案相邻的用于检测的磁性薄膜图案;和设置成与磁性薄膜图案相邻的检测线圈图案。通过将激发图案、用于检测的磁性薄膜图案和检测线圈图案安排在基板上平面地形成磁传感器元件。而且,由于生成磁场在长轴方向的长度缩短了,可以缩小元件本身的大小和厚度。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top