[发明专利]异质结型场效应晶体管用的外延晶片无效
| 申请号： | 201380005634.X | 申请日： | 2013-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN104054166A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 布袋田畅行;寺口信明;本田大辅;伊藤伸之;松林雅和;松笠治彦 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/205;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 异质结型FET用外延晶片包括在Si衬底上依次层叠的AlN基底层、组成分阶段变化缓冲层结构、超晶格缓冲层结构、GaN沟道层和氮化物半导体的电子供给层，组成分阶段变化缓冲层结构包括以Al组成比依次降低的方式层叠的多个AlGaN缓冲层，其最上层具有AlxGa1-xN(0＜x)的组成，在超晶格缓冲层结构内，从AlyGa1-yN(y≤1)超晶格构成层和AlzGa1-zN(0＜z＜y)超晶格构成层中的任一个开始，这些超晶格构成层交替地层叠多次，AlxGa1-xN缓冲层和AlzGa1-zN超晶格构成层满足x-0.05≤z≤x+0.05条件。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结型 场效应 晶体 管用 外延 晶片 | ||
【主权项】：
一种外延晶片，其为异质结型场效应晶体管用的外延晶片，其特征在于：包括在Si衬底上依次层叠的AlN基底层、组成分阶段变化缓冲层结构、超晶格缓冲层结构、GaN沟道层和氮化物类半导体的电子供给层，所述组成分阶段变化缓冲层结构包括以Al组成比分阶段依次降低的方式层叠的多个AlGaN缓冲层，最上层的AlGaN缓冲层具有AlxGa1‑xN的组成，其中0＜x，在所述超晶格缓冲层结构内，从AlyGa1‑yN超晶格构成层和AlzGa1‑zN超晶格构成层中的任一个开始，这些超晶格构成层交替地层叠多次，其中，y≤1，0＜z＜y，所述AlxGa1‑xN缓冲层和AlzGa1‑zN超晶格构成层具有大致相同的Al组成比，满足x‑0.05≤z≤x+0.05的条件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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