[发明专利]具有去耦电容器的非对称密集浮置栅极非易失性存储器

摘要

一种非易失性存储器(“NVM”)位单元，具有电容性耦合至浮置栅极但是与源极和漏极两者分离的一个或多个有源区域。包括与源极和漏极分离的电容器允许对浮置栅极的电压的改进的控制。这转而允许以比现有位单元效率高得多的执行CHEI(或IHEI)，由此消除了对于向位单元提供电流的电荷泵的需求，最终减小了位单元的总尺寸。位单元可以被成对构造，从而进一步减小每个位单元的空间需求，由此减轻分离电容器的空间需求。位单元也可以取决于施加在源极、漏极和电容器处的电压由CHEI(或IHEI)以及分离地由BTBT操作。

主权项

一种非易失性存储器位单元，包括：在衬底中的第一有源区域，所述第一有源区域包括源极和漏极，所述漏极具有晕环注入并且所述源极不具有晕环注入；在所述衬底中的第二有源区域，由非导电区域与所述第一有源区域分离；浮置栅极，位于在所述源极和所述漏极之间的所述第一有源区域之上、所述第二有源区域之上以及所述非导电区域之上；以及电容器，包括第一极板和第二极板，所述电容器与所述源极和所述漏极分离，所述第一极板包括所述浮置栅极的在所述第二有源区域之上的一部分，并且所述第二极板包括所述第二有源区域的在所述浮置栅极之下的一部分。