[实用新型]一种PECVD系统有效
| 申请号： | 201320892004.6 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN203653697U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘杰;刘键;冷兴龙;屈芙蓉;李超波;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种PECVD系统，包括沉积腔室、前驱体输入气路、反应气体输入气路，所述前驱体输入气路和反应气体输入气路都与沉积腔室连接，所述前驱体输入气路和所述反应气体输入气路上都具有控制气体输入的普通阀，所述前驱体输入气路和/或所述反应气体输入气路的普通阀上通过管道并连脉冲阀。实现了PECVD方法和脉冲流量PECVD方法的结合，也实现了制备速度可控、快速沉积较高质量的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pecvd 系统 | ||
【主权项】：
一种PECVD系统，其特征在于：包括沉积腔室（3）、前驱体输入气路（5）、反应气体输入气路（6），所述前驱体输入气路（5）和反应气体输入气路（6）都与沉积腔室（3）连接，所述前驱体输入气路（5）和所述反应气体输入气路（6）上都具有控制气体输入的普通阀（1），所述前驱体输入气路（5）和/或所述反应气体输入气路（6）的普通阀（1）上通过管道并连脉冲阀（2）。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
