[实用新型]一种发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201320879857.6 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN203967108U | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 谢春林 | 申请（专利权）人： | 惠州比亚迪实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 516083*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种发光二极管芯片，包括：衬底、在衬底上依次形成的缓冲层、N型半导体层、部分覆盖N型半导体层的发光层，及依次形成在发光层之上的电子阻挡层和和P型半导体层，在所述N型半导体层上形成N电极区；超晶格反射层，包括形成在P型半导体层上的P电极超晶格反射层和形成在N电极区内、N型半导体层上的N电极超晶格反射层；导电层，所述导电层覆盖在P型半导体层和P电极超晶格反射层上；P电极和N电极，所述P电极形成在导电层上，并且位于P电极超晶格反射层上方，所述N电极形成在N电极超晶格反射层上。该发光二极管芯片可减少金属电极对LED芯片发出的光的吸收，提高发光强度，改善LED芯片的发光性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：衬底、在衬底上依次形成的缓冲层、N型半导体层、部分覆盖N型半导体层的发光层，及依次形成在发光层之上的电子阻挡层和P型半导体层，在所述N型半导体层上形成N电极区；超晶格反射层，包括形成在P型半导体层上的P电极超晶格反射层和形成在N电极区内、N型半导体层上的N电极超晶格反射层，所述超晶格反射层与相应的电极形状相适应；导电层，所述导电层覆盖在P型半导体层和P电极超晶格反射层上；P电极和N电极，所述P电极形成在导电层上，并且位于P电极超晶格反射层上方，所述N电极形成在N电极超晶格反射层上。
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