[实用新型]一种用于监测气相沉积机台容忍度的器件结构有效
申请号: | 201320859599.5 | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN203707087U | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 庄燕萍;唐丽贤;杜海;郑展 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供一种用于监测气相沉积机台容忍度的器件结构,所述器件结构为晶圆上多组电容器,每组电容器至少包括:金属互连层;金属层间介质层;位于金属层间介质层中的连接孔,覆盖连接孔侧壁及其底部的导电材料层;覆盖金属层间介质层表面和连接孔中导电材料层表面的第一金属层;所述金属互连层、导电材料层及导电材料层表面的第一金属层一起作为电容器下极板电极层;该器件结构还包括覆盖电容器下极板电极层表面的极板间绝缘介质层及覆盖极板间绝缘介质层表面的第二金属层,第二金属层为上极板电极层。通过设置每组电容器连接孔的宽度监控电弧放电从而监测气相沉积机台的容忍度,针对同种不同机台有效改进其容忍度用以提高电路制造的良品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 监测 沉积 机台 容忍度 器件 结构 | ||
【主权项】:
一种用于监测气相沉积机台容忍度的器件结构,其特征在于,所述器件结构为晶圆上多组不同的电容器,每组电容器的结构至少包括: 金属互连层; 位于金属互连层上表面的金属层间介质层; 位于金属层间介质层中与所述金属互连层接触的连接孔; 覆盖于连接孔侧壁以及连接孔底部的导电材料层; 覆盖所述导电材料层表面的第一金属层; 所述金属互连层、导电材料层以及覆盖于所述导电材料层表面的第一金属层一起作为所述电容器下极板电极层; 该器件结构还包括覆盖于所述电容器下极板电极层上表面的极板间绝缘介质层以及覆盖于所述极板间绝缘介质层上表面的第二金属层,所述第二金属层作为电容器上极板电极层; 每组电容器除覆盖于连接孔侧壁以及连接孔底部的导电材料层以外其它层同层之间相互连接,彼此共用金属层间介质层且连接孔的宽度不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造