[实用新型]一种半导体致冷器晶片厚度检测装置有效
| 申请号： | 201320766981.1 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN203595477U | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李水祥;杨红;郑美良 | 申请（专利权）人： | 浙江迈特电子有限公司 |
| 主分类号： | G01B5/06 | 分类号： | G01B5/06;H01L21/66 |
| 代理公司： | 杭州赛科专利代理事务所 33230 | 代理人： | 余华康 |
| 地址： | 324200 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体致冷器晶片厚度检测装置，由支架（2）、标准平板（1）、横杆（3）、上斜杆（4）、下斜杆（5）组成，支架（2）为三角形，标准平板（1）为矩形，设置在支架（2）的斜面上，横杆（3）设置在标准平板（1）的上方，横杆（3）与标准平板（1）之间留有间隙，其间隙为半导体致冷器晶片厚度标准尺寸的上公差；上斜杆（4）设置在标准平板（1）的中部，与标准平板（1）之间留有间隙，其间隙为半导体致冷器晶片厚度标准尺寸的下公差，采用本装置检测半导体致冷器晶片，具有检测准确度好、轻便快捷、省时省力、效率高的优点，减轻了劳动强度，提高了半导体致冷器的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 致冷 晶片 厚度 检测 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体致冷器晶片厚度检测装置，其特征是：它由支架、标准平板、横杆、上斜杆、下斜杆组成，所述支架为三角形；所述标准平板为矩形，设置在支架的斜面上；所述横杆设置在标准平板的上方，在横杆与标准平板之间留有间隙，其间隙为半导体致冷器晶片厚度标准尺寸上公差；所述上斜杆设置在标准平板的中部，在上斜杆与标准平板之间留有间隙，其间隙为半导体致冷器晶片厚度标准尺寸下公差；所述下斜杆设置在标准平板的下部。
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