[实用新型]高功率芯片老化验证装置有效

专利信息
申请号: 201320738895.X 申请日: 2013-11-20
公开(公告)号: CN204241639U 公开(公告)日: 2015-04-01
发明(设计)人: 黄小玲 申请(专利权)人: 宜硕科技(上海)有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 上海唯源专利代理有限公司 31229 代理人: 曾耀先
地址: 201103 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种高功率芯片老化验证装置,包括一测试插座,所述测试插座连接所述芯片的测试端,所述芯片上连接有一温度控制装置,所述温度控制装置包括一控制单元以及连接所述控制单元的加热器和散热器,所述控制单元连接所述芯片本实用新型的高功率芯片老化验证装置通过在芯片上连接一温度控制装置,对芯片的温度进行监控,当芯片温度低于设定温度时,加热器工作,风扇不工作,起到单独加热的作用;当芯片温度高于设定温度时,加热器停止工作,风扇工作,起到单独散热作用。从而使得具有功耗差异的芯片能够在统一的温度条件下进行老化,得出准确的结果。
搜索关键词: 功率 芯片 老化 验证 装置
【主权项】:
一种高功率芯片老化验证装置,包括一测试插座,所述测试插座连接所述芯片的测试端,其特征在于:所述芯片上连接有一温度控制装置,所述温度控制装置包括一控制单元以及连接所述控制单元的加热器和散热器,所述控制单元连接所述芯片。
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