[实用新型]高功率芯片老化验证装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种芯片老化验证技术，尤其是一种高功率芯片老化验证装置。

背景技术

目前的芯片老化验证技术（High Temperature Operating Life，简称HTOL）是让芯片（Integrated Circuit，简称IC）在统一温度的试验箱中，如图1所示，利用测试插座21的测试端210测试芯片22的测试端220，并且在测试过程中通过老化测试机给IC提供温度，在特定模式下运行，所有IC都处在同一温度下，而且机台不能单独控制每颗IC的温度。但是高功率IC在28nm或者更高的制程下，同一批IC个体差异非常大，用原先的老化技术进行验证时，IC的PN结温度差异也非常大，导致无法得出准确的试验结果。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种通过单独控制每颗芯片的温度，让有功耗差异的芯片能够在统一的温度条件下进行老化，得出准确测试结果的高功率芯片老化验证装置。

为实现上述技术效果，本实用新型公开了一种高功率芯片老化验证装置，包括一测试插座，所述测试插座连接所述芯片的测试端，所述芯片上连接有一温度控制装置，所述温度控制装置包括一控制单元以及连接所述控制单元的加热器和散热器，所述控制单元连接所述芯片。

本实用新型进一步的改进在于，所述散热器为一风扇。

本实用新型进一步的改进在于，所述加热器设于所述芯片上，所述散热器设于所述加热器上，所述加热器上形成有复数通道，所述通道的第一端连接至所述芯片，所述通道的第二端连接至所述散热器。

本实用新型由于采用了以上技术方案，使其具有以下有益效果是：通过在芯片上连接一温度控制装置，对芯片的温度进行监控，当芯片温度低于设定温度时，加热器工作，风扇不工作，起到单独加热的作用；当芯片温度高于设定温度时，加热器停止工作，风扇工作，起到单独散热作用。从而使得具有功耗差异的芯片能够在统一的温度条件下进行老化，得出准确的结果。

附图说明

图1是现有的芯片老化测试机的结构示意图。

图2是本实用新型高功率芯片老化验证装置的结构示意图。

图3是本实用新型高功率芯片老化验证装置中温度控制装置的工作原理示意图。

具体实施方式

下面结合附图以及具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

首先参阅图2所示，本实用新型的一种高功率芯片老化验证装置1包括一测试插座11，该测试插座11连接芯片12的测试端120，利用该测试插座11对芯片12进行老化测试。

结合图3所示，芯片12上连接有一温度控制装置13，温度控制装置13进一步包括一控制单元131以及连接该控制单元131的加热器132和散热器风扇133，控制单元131连接芯片12。

作为本实用新型的较佳实施方式，加热器132设于芯片12上，启动加热器132，直接对芯片12进行加热；散热器风扇133置于加热器132上，并且在加热器132上形成复数通道14，通道14的第一端连接至芯片12，第二端连接至散热器风扇133，散热器风扇133运转时产生的冷却风通过通道14送至芯片12上，对芯片12进行冷却散热。

在使用本实用新型高功率芯片老化验证装置1时，当控制单元131检测到芯片12温度低于设定温度时，驱动加热器132工作，散热器风扇133不工作，起到对芯片12单独加热的作用；当控制单元131检测到芯片12温度高于设定温度时，加热器132停止工作，驱动散热器风扇133工作，起到对芯片12单独散热作用。通过该温度控制装置13对芯片12的温度进行实时监控管理，从而使得具有功耗差异的芯片12能够在统一的温度条件下进行老化，确保测试插座11得出准确的结果。

以上结合附图实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根据上述说明对本实用新型做出种种变化例。因而，实施例中的某些细节不应构成对本实用新型的限定，本实用新型将以所附权利要求书界定的范围作为本实用新型的保护范围。