[实用新型]高功率芯片老化验证装置有效

专利信息
申请号: 201320738895.X 申请日: 2013-11-20
公开(公告)号: CN204241639U 公开(公告)日: 2015-04-01
发明(设计)人: 黄小玲 申请(专利权)人: 宜硕科技(上海)有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 上海唯源专利代理有限公司 31229 代理人: 曾耀先
地址: 201103 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 功率 芯片 老化 验证 装置
【权利要求书】:

1.一种高功率芯片老化验证装置,包括一测试插座,所述测试插座连接所述芯片的测试端,其特征在于:所述芯片上连接有一温度控制装置,所述温度控制装置包括一控制单元以及连接所述控制单元的加热器和散热器,所述控制单元连接所述芯片。

2.如权利要求1所述的装置,其特征在于:所述散热器为一风扇。

3.如权利要求2所述的装置,其特征在于:所述加热器设于所述芯片上,所述散热器设于所述加热器上,所述加热器上形成有复数通道,所述通道的第一端连接至所述芯片,所述通道的第二端连接至所述散热器。

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