[实用新型]金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED

摘要

本实用新型属于微电子与光电子技术领域，涉及一种金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED，采用标准CMOS工艺制成，包括集成在P型硅衬底上的P⁺N阱发光结及P电极和N电极，P⁺和N⁺均为尖端角度在75°至90°之间的楔形结构，在P⁺N阱发光结的上方，先覆盖有一层SiO₂，再在SiO₂表面制作有金属Ag光子晶体结构。本实用新型利用金属光子晶体的SPP泄露模式近场局域耦合增强器件发光效率，提高了硅基CMOS器件发光强度，且器件发光面积集中，具有较高的光功率密度，有利于器件光电集成。

主权项

一种金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED，采用标准CMOS工艺制成，包括集成在P型硅衬底上的P⁺N阱发光结及P电极和N电极，其特征在于，P⁺和N⁺均为尖端角度在75°至90°之间的楔形结构，在P⁺N阱发光结的上方，先覆盖有一层SiO₂，再在SiO₂表面制作有金属Ag光子晶体结构。