[实用新型]一种基于N型注入层的IGBT芯片有效
| 申请号： | 201320678868.8 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN203562430U | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 刘江;包海龙;张宇;刘隽;车家杰;赵哿;高明超;金锐 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;国网上海市电力公司;国网智能电网研究院 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件技术，具体涉及一种基于N型注入层的IGBT芯片。IGBT芯片包括有源区、终端区和栅极区，在所述有源区和所述终端区均设有N型注入层；本实用新型中在IGBT设计时引入N型注入层，优化了终端区的设计，降低了终端区的尺寸。同时降低了有源区的饱和电压，提高了芯片的电流能力。本实用新型在不影响IGBT芯片其他性能的前提下，通过引入N型注入层，优化IGBT芯片各功能区域的比例，提高了IGBT芯片的电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 注入 igbt 芯片 | ||
【主权项】：
一种基于N型注入层的IGBT芯片，所述IGBT芯片包括有源区、终端区和栅极区，其特征在于，在所述有源区和所述终端区均设有N型注入层。
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