[实用新型]一种LED芯片有效
| 申请号： | 201320649857.7 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN203617332U | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 张戈 | 申请（专利权）人： | 惠州比亚迪实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 516083*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种LED芯片，其中该LED芯片包括：衬底；缓冲层；N型半导体层；多量子阱，该多量子阱的面积小于N型半导体层的面积，以在N型半导体层上形成N电极安装区；电子阻挡层；P型半导体层，其具有线形开口，线形开口的底部与电子阻挡层接触；N电极，N电极形成在N电极安装区上；P电极，该P电极包括：P电极线部，填充线形开口的底部的P电极线部、位于P型半导体层之上并且位于线形开口上边缘的一端的P电极端部和连接P电极端部和P电极线部的一端的P电极连接部；以及隔离层，隔离层位于P电极端部与P型半导体层之间，隔离层的形状与P电极端部的形状相匹配。本实用新型的LED芯片具有驱动电压低、发光亮度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底；形成在衬底之上的缓冲层，所述缓冲层包括成核层和形成在成核层上的本征层；N型半导体层，所述N型半导体层位于所述缓冲层之上；多量子阱，所述多量子阱位于所述N型半导体层之上，所述多量子阱的面积小于所述N型半导体层的面积，以在所述N型半导体层上形成N电极安装区；电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述多量子阱之上；P型半导体层，所述P型半导体层位于所述电子阻挡层之上，所述P型半导体层具有线形开口，所述线形开口的底部与所述电子阻挡层接触；N电极，所述N电极形成在所述N电极安装区上，；P电极，所述P电极包括：P电极线部，所述P电极线部填充所述线形开口的底部；P电极端部，所述P电极端部位于所述P型半导体层之上并且位于所述线形开口上边缘的一端；和P电极连接部，所述P电极连接部连接所述P电极端部和所述P电极线部的一端；以及隔离层，所述隔离层位于所述P电极端部与所述P型半导体层之间，所述隔离层的形状与所述P电极端部的形状相匹配。
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